ZHCU458I march 2018 – july 2023
图 2-44 显示了隔离式 MOSFET 栅极驱动器的原理图设计。UCC5320S 初级侧由 3.3V 电源轨供电。0.1μF 陶瓷电容器放置在 VCC1 引脚附近,用于噪声去耦。电源正向 UVLO 阈值为 2.6V,负向阈值为 2.5V。
栅极驱动器的 PWM 输入由控制器 PWM 输出外设提供。必须在低侧和高侧 PWM 信号之间插入死区时间,以防止两个开关同时导通。该信号是单端信号,并在连接到栅极驱动器输入之前使用由 R417 和 C410 组成的 RC 低通滤波器进行滤波。滤波器可减弱高频噪声,并防止由于控制器到栅极驱动器的距离较长而导致 PWM 输入过冲和下冲。该设计中未使用反相 PWM 输入 IN–,它连接到初级侧接地。
UCC5320S 具有分离输出,可单独控制 MOSFET 的开通上升时间和关断下降时间。3.3Ω 栅极电阻器 R418 用于 MOSFET 开通。3.3Ω MOSFET 关断电阻器 R420 允许强关断,有助于减少关断损耗。低阻值关断电阻器还可提高栅极驱动电路抗寄生米勒开通效应的能力。10kΩ 电阻器跨接在 MOSFET 栅极与靠近主电源板 MOSFET 的发射极引脚之间。此连接的作用是在因故障而导致栅极驱动器与 MOSFET 断开连接的情况下确保 MOSFET 保持关断状态。