ZHCU458I march 2018 – july 2023
图 2-43所示为隔离式 SiC MOSFET 栅极驱动器的原理图设计。VCC 和 GND 是 UCC21710 器件输入侧的电源引脚。VCC 的电源电压范围为 3.0V 至 5.5V(相对于 GND)。VDD 和 COM 是 UCC21710 器件输出侧的电源引脚。VEE 是输出驱动器的电源返回点,COM 是逻辑电路的基准。VDD 的电源电压范围为 15V 至 30V(相对于 VEE)。PWM 应用于栅极驱动器的 IN+ 和 IN– 引脚中。
在栅极驱动器次级侧,栅极电阻器 R308 和 R307 控制开关器件的栅极电流。DESAT 故障检测有助于防止短路故障期间集电极电流过多而造成任何损害。为防止开关器件受损,UCC21710 会在检测到故障时缓慢关闭 SiC MOSFET。缓慢关闭可确保出现故障时以可控方式降低过流。DESAT 二极管 D301 传导源自栅极驱动器的偏置电流,这便于在 SiC MOSFET 处于开启状态时检测 MOSFET 饱和集电极到发射极电压。