如图 2-1 中所示，初级侧和次级侧的主功率级开关器件必须能够阻断全部的输入和输出直流电压。出于以下原因，选择 SiC 开关：

• SiC MOSFET 的开关速度比传统 Si 器件更快，从而减少了开关损耗。
• 用于 DAB 应用的 SiC MOSFET 中的反向恢复电荷明显较小，因此减少了电压和电流过冲。
• 导通状态电阻越低，将更显著地减少器件导通期间的导通损耗。
• 这些开关还能够阻止更大的电压，而不会出现击穿。

在本设计中，初级侧采用了导通电阻为 75mΩ 的 1200V Cree® 器件，而次级侧采用了导通电阻为 30mΩ 的 900V、电压阻断 Cree 器件。这两个器件都是采用开尔文连接的四引脚器件，以获得更出色的开关性能。后续几节中介绍了实际导通损耗和开关损耗的计算方式。