ZHCU696G September 2019 – October 2023
传统 LLC 基本上通过 Si MOSFET 来实现。此参考设计考虑将 GaN 用作功率管,因为 GaN 散热良好,输入引脚为电压兼容隔离驱动,并且可以区分过热 (OT) 和过流 (OC)。GaN 还具有温度报告等优势,50mR RDS(on) GaN 只需 1kW。
要在次级侧驱动初级侧 GaN,请使用两个可获取 GaN 故障信息的 ISO7721 隔离器。