LM74810-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持功能。具有 50 mA 峰值栅极拉电流驱动器级以及短导通和关断延迟时间的 3 mA 强电荷泵可确保快速的瞬态响应，从而确保在汽车测试（如 ISO16750 或 LV124）期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能，在汽车测试中 ECU 会经受输入短时中断以及频率高达 200 KHz 的交流叠加输入信号。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许负载断开（开/关控制）并使用 HGATE 控制功能提供过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能，以提供负载突降保护。

图 2-6 LM74810-Q1 方框图