如架构概述中所示，主开关器件只需支持一半的完整开关电压。若要支持此设计的 800V 直流链路电压，请使用额定电压为 600V 的器件。开关 Q1、Q5、Q4 和 Q6 是高频开关，因此必须是 GaN 器件。然而，开关 Q2 和 Q3 仅以 100 Hz 和 120 Hz 的频率开关，并且可使用 Si MOSFET。

导通损耗主要由 GaN MOSFET 的 R_DS(on) 和 Si MOSFET 的 R_DS(on) 决定。在任何情况下，都会有两个器件同时导通（GaN 器件和 Si 器件各一个）。因此，应根据这些器件所允许的导通损耗来选择其 R_DS(on)。

开关损耗是每个开关元件的开关频率和开关能量的函数；开关能量与开关瞬态下的器件电流和电压有关。使用数据表中的开关能量曲线，可估算总开关损耗。请注意，在逆变器配置中，只有 Q1 或 Q4 会出现开关损耗，因为 Q5 和 Q6 仅作为同步开关工作，因此会出现零电压开关。然而，由于 Q5 和 Q6 体二极管在死区时间内导通，它们会有正向压降损耗和反向恢复损耗。然而，TI 的 GaN 器件根本没有反向恢复损耗，而 SiC 器件的反向恢复损耗可忽略。Q2 和 Q3 仅以非常低的频率开关，因此其开关损耗可以忽略。

如前所述，可以估算所有器件的导通损耗和开关损耗，还可以估算效率。借助热系统设计的热阻信息，可选择合适的器件额定值。600V/30mΩ GaN 和 650V/40mΩ Si MOSFET 在热性能、效率和成本方面达到了很好的平衡。