TPSI2140-Q1 是一款隔离式固态继电器，将 TI 具有高可靠性的电容隔离技术和内部背对背 MOSFET 结合在一起，形成了一个无需次级侧电源的完全集成式解决方案。初级侧由四个差分驱动器组成，它们为次级侧的每个内部 MOSFET 提供电力和使能逻辑信息。

当使能引脚变为高电平时，振荡器开始促使驱动器跨隔离栅输送电力和逻辑高电平。当使能引脚变为低电平时，驱动器将被禁用。在次级侧，每个 MOSFET 都有一个全桥整流器，为带通放大器和解调器供电，从而确定由初级侧提供的逻辑状态。压摆率驱动器根据提供的逻辑来控制 MOSFET 的栅极。

耐雪崩的 MOSFET 和热敏感封装设计使其可以通过系统级高压 (HiPot) 筛选，并且无需任何外部元件即可承受高达 2mA 的直流快速充电器浪涌电流。TPSI2140T-Q1 器件中包含的热雪崩保护 (TAP) 特性通过监测结温并使 MOSFET 将温度保持在安全工作范围内，进一步提高了雪崩电流能力。

主要特性包括：

• 符合 AEC-Q100 标准，环境工作温度为 –40°C 至 125°C
• 高达 3750V_RMS、5300V_DC 的电容式隔离栅
• 次级 S1、S2 开关端子之间具有 1200V 关断电压
• 爬电距离和间隙 ≥ 8mm（初级-次级）
• 爬电距离和间隙 ≥ 6mm（S1、S2 开关端子之间）
• 低功耗：< 9mA 输入电流

图 2-2 TPSI2140 功能方框图