在此设计中，在 ACL 和 ACN 之间执行了雷击浪涌测试。图 3-14 展示了未连接 EUT 时的 3kV 火线与零线间浪涌电压波形。

图 3-14 浪涌电压波形

通过使用该浪涌波形，测试了输入电流和 PFC 扼流电流，该电流与流过 GaN FET 的电流相同。结果清晰表明，浪涌电流完全被浪涌二极管绕过，不会对 GaN FET 带来风险（请参见图 3-15）。

图 3-15 GaN FET，浪涌测试中的扼流电流

流过 MOSFET 的浪涌电流会带来威胁。如图 3-16 中的测试波形所示，3kV 浪涌下的电流超过了 MOSFET 的最大峰值电流规格。

图 3-16 流经 MOSFET 的浪涌电流

实验表明，功率级在 ±3kV 浪涌下仍可承受，但 MOSFET 桥臂在 –4kV 浪涌下断开。图 3-17 和图 3-18 分别展示了 ±3kV 下的浪涌波形。

图 3-17 +3kV 90 度下的浪涌测试

图 3-18 -3kV 90 度下的浪涌测试