J721E SOM 使用排列在 32 位宽总线中的单个 32Gb x 8 位宽存储器器件，可实现 4GB LPDDR4。LPDDR4 接口能够以高达 3733Mb/s 的速度运行。LPDDR4 器件通过 T 分支布线进行连接，以连接到时钟和地址/命令线路，并实现数据总线的点对点连接。

SoM 上使用了 Micron 的 LPDDR4 存储器芯片 MT53D1024M32D4DT，该芯片针对内核 1 需要 1.8V 的电压 (VDD1)，针对内核 2 需要 1.1V 的电压 (VDD2)，针对 I/O 缓冲电源需要 1.1V 或 0.6V 的电压 (VDDQ)。可以使用 SoM 上的 DIP 开关 SW1 来选择 VDDQ 电源。如需更多详情，请参阅节 4.5.3。

图 4-10 J721E SoM LPDDR4