ZHCU877B May 2021 – October 2023
受影响的 PCB 版本:E1、E2、E3
严重程度:高
在入门套件中,LDO0 提供 VDDAR_CORE(0.85V 内核电压域)。4.7uF 的负载点电容器过度保守,可降低为 1uF,使 LDO0 观察到的总输出电容更符合 CLDO_OUT 最高规格。
在入门套件中,由 LDO1 提供的 AM64x 1V8 模拟域和电容要求远远超出 LDO1 的 CLDO_OUT 最高规格,主要原因是 VDDA_1P8_SERDES0 上的负载点电容器较大,为 22uF。TI 采用多管齐下的方法解决这个问题,未来将公布电容器最终推荐值。首先,LP8733xx CLDO_OUT 最高规格过度保守,在数据表中将修改为更高的值。其次,进行了系统级仿真来评估 VDDA_1P8_SERDES0 上的实际去耦电容器要求。由于这项工作正在进行,TI 建议不要在生产系统中复制这种电源解决方案。
如果客户需要集成 PMIC 解决方案,米6体育平台手机版_好二三四 (TI) 目前正在开发一款可满足 AM64x 处理器系列需求的 PMIC,并将在下一版本的 AM64x 入门套件中提供。