ZHCU886B October 2020 – March 2022
PRODUCTION DATA
2.1 LMG342XEVM-04X 子卡
LMG342XEVM-04X 具有两个半桥配置的 LMG342XR0X0 GaN FET。所有的偏置和电平转换元件都包含在内，使低侧参考信号控制两个 FET。高频去耦电容器包含在优化布局中的功率级，以最小化寄生电感，并降低电压过冲。
电路板的布局对于器件的性能和功能至关重要。TI 首选四层或层数更多的电路板，以减少布局的寄生电感，实现适用性能。具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 LMG342xR030 600V 30mΩ GaN FET 数据表中提供了布局指南，以优化焊点可靠性、电源环路电感、信号到地的连接、开关节点电容和散热性能。
表 2-1 EVM 版本查找表
| EVM 名称 | 具有集成驱动器和保护功能的特色 GaN FET |
|---|---|
| LMG3422EVM-041 | LMG3422R050 |
| LMG3422EVM-043 | LMG3422R030 |
| LMG3425EVM-041 | LMG3422R050 |
| LMG3425EVM-043 | LMG3425R030 |
LMG342XEVM-04X 上有 12 个逻辑引脚。
表 2-2 逻辑引脚功能描述
| 引脚 | 引脚名称 | 说明 |
|---|---|---|
| LS PWM | 1 | 用于低侧 LMG342XR0X0 的逻辑门信号输入。同时兼容 3.3V 和 5V 逻辑。以 AGND 为参考。 |
| HS TEMP | 2 | 用于高侧 LMG342XR0X0 的 PWM TEMP 输出。以 AGND 为参考。 |
| LS Fault | 3 | 用于低侧 LMG342XR0X0 的 FAULT 输出信号。以 AGND 为参考。 |
| HS OC | 4 | 用于高侧 LMG342XR0X0 的 OC 输出信号。以 AGND 为参考。 |
| LS OC | 5 | 用于低侧 LMG342XR0X0 的 OC 输出信号。以 AGND 为参考。 |
| HS Fault | 6 | 用于高侧 LMG342XR0X0 的 FAULT 输出信号。以 AGND 为参考。 |
| LS Temp | 7 | 用于低侧 LMG342XR0X0 的 PWM TEMP 输出。以 AGND 为参考。 |
| HS PWM | 8 | 用于高侧 LMG342XR0X0 的逻辑门信号输入。同时兼容 3.3V 和 5V 逻辑。以 AGND 为参考。 |
| 12V | 9 | 在引导模式下配置LMG342XEVM-04X时的辅助电源输入。在隔离电源模式下配置时不使用引脚。 |
| 5V | 10 | 用于LMG342XEVM-04X 的辅助电源输入。用于为逻辑隔离器供电。当在隔离电源模式下配置时，用作 LMG342XR0X0 器件的输入偏置电源。 |
| AGND | 11,12 | 逻辑和偏置电源接地回路引脚。功能上与 PGND隔离。 |
LMG342XEVM-04X 上有 6 个电源引脚。
表 2-3 电源引脚功能说明
| 引脚 | 说明 |
|---|---|
| SW | 半桥配置的开关节点 |
| HV | 半桥配置的输入直流电压 |
| PGND | 半桥配置的电源接地。功能上与 AGND隔离。 |
图 2-1 LMG342XEVM-04X 方框图警告：
无论何时评估模块通电后都会出现高压电平。使用 EVM 时请采取适当的预防措施。