ZHCU886B October 2020 – March 2022
PRODUCTION DATA
3 LMG342XEVM-04X 原理图
图 3-1 LMG342XEVM-04X 原理图以下是使用 LMG342x 进行设计时须遵循的一些指导原则。
ISO77xx 系列提供出色的共模瞬态抗扰能力。强烈建议使用 ISO77xxF 系列，在载波信号受共模噪声影响的情况下，其默认输出为低电平，这有助于避免 PWM 信号的任何穿透。建议在 FAULT 信号和 OC 信号的隔离器输出上使用 RC 滤波器，以减少 CMTI 噪声。建议在 RDRV 电阻器（R5 和 R14）上并联一个100 pF 电容器，以减轻与压摆率设置电路耦合的高频噪声。
可以通过改变 RDRV 引脚上的电阻器连接来调整 GaN 器件的压摆率。在非常高的压摆率下进行操作（例如连接到 GND 的 RDRV）时，LDO5V 引脚可能会因地面反弹而产生过应力。在这种情况下，建议移除靠近 LDO5V（C2 和 C12）的电容器，并在该引脚和数字隔离器的 VCC 之间添加一个 10Ω（R4 和 R11）的小电阻。这有助于减轻 LDO5V 上的过电压应力。
对于自举电源操作，建议使用 SiC 肖特基二极管 (GB01SLT06-214)。对于高频和低占空比操作，建议使用 2Ω 的自举电阻。此外，热管理优先选择带有铜通孔的大尺寸 SMD 电阻器。需要将 16V 齐纳二极管靠近高端 Vdd 引脚放置。当使用自举电阻时，需要在启动期间控制低压侧 GaN 器件的压摆率。当高压侧电源充满电时，低压侧器件可以在正常操作中切换回更高的压摆率。这是使用 Q1 和 R18 实现的。100 kΩ 的 R14 用于控制压摆率。