ZHCU926A January 2022 – January 2022 DRA829V , TDA4VM , TPS6594-Q1
如图 6-1 所示,存在各种可以在所配置的状态之间实现状态转换的触发条件。表 6-1 按照从最高优先级(立即关断)到最低优先级 (I2C_3) 的顺序,描述了每个触发条件及其相关的状态转换。优先级较高的主动触发条件会阻止优先级较低的触发条件和相关序列。
触发条件 | 优先级 (ID) | 立即 (IMM) | 可重入 | PFSM 当前状态 | PFSM 目标状态 | 执行的电源序列或功能 |
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立即关断(9) | 0 | 真 | 假 | 待机、运行、仅 MCU、挂起至 RAM | 安全(1) | TO_SAFE_SEVERE |
MCU 电源错误 | 1 | 真 | 假 | 待机、运行、仅 MCU、挂起至 RAM | 安全(1) | TO_SAFE |
有序关断(9) | 2 | 真 | 假 | 待机、运行、仅 MCU、挂起至 RAM | 安全(1) | TO_SAFE_ORDERLY |
关闭请求 | 4(11) | 假 | 假 | 待机、运行、仅 MCU、挂起至 RAM | 待机(2) | TO_STANDBY |
WDOG 错误 | 5 | 假 | 真 | 运行 | 运行 | ACTIVE_TO_WARM |
ESM MCU 错误 | 6 | 假 | 真 | 运行 | 运行 | |
ESM SOC 错误 | 7 | 假 | 真 | 运行 | 运行 | ESM_SOC_ERROR |
WDOG 错误 | 8 | 假 | 真 | 仅 MCU | 仅 MCU | MCU_TO_WARM |
ESM MCU 错误 | 9 | 假 | 真 | 仅 MCU | 仅 MCU | |
SOC 电源错误(9) | 10 | 假 | 假 | 运行 | 仅 MCU | PWR_SOC_ERR |
I2C_1 位为高电平(3) | 11 | 假 | 真 | 运行、仅 MCU | 无状态变化 | 执行 RUNTIME BIST |
I2C_2 位为高电平(3) | 12 | 假 | 真 | 运行、仅 MCU | 无状态变化 | 在所有器件上,对 I2C1 和 I2C2启用 I2C CRC。(4) |
GPIO2 下降沿(7) | 13 | 假 | 假 | 运行 | 无状态变化 | 在旁路模式下,TPS65941111-Q1 LDO1 输出为 3.3V |
GPIO2 上升沿(7) | 14 | 假 | 假 | 运行 | 无状态变化 | 在 LDO 模式下,TPS65941111-Q1 LDO1 输出为 1.8V |
开启请求 | 15 | 假 | 假 | 待机、运行、仅 MCU、挂起至 RAM | 运行 | TO_ACTIVE |
WKUP1 变为高电平 | 16 | 假 | 假 | 待机、运行、仅 MCU、挂起至 RAM | 运行 | |
NSLEEP1 和 NSLEEP2 为高电平(5) | 17 | 假 | 假 | 待机、运行、仅 MCU、挂起至 RAM | 运行 | |
MCU 开启请求 | 18 | 假 | 假 | 待机、运行(8)、仅 MCU、挂起至 RAM | 仅 MCU | TO_MCU |
WKUP2 变为高电平 | 19 | 假 | 假 | 待机、运行、仅 MCU、挂起至 RAM | 仅 MCU | |
NSLEEP1 变为低电平,而 NSLEEP2 变为高电平(5) | 20 | 假 | 假 | 运行、仅 MCU、挂起至 RAM | 仅 MCU | |
NSLEEP1 变为高电平,而 NSLEEP2 变为低电平(5) | 21 | 假 | 假 | 运行、仅 MCU | 挂起至 RAM | TO_RETENTION |
NSLEEP1 变为高电平,而 NSLEEP2 变为低电平(5) | 22 | 假 | 假 | 运行、仅 MCU | 挂起至 RAM | |
I2C_0 位变为高电平(3) | 23(10) | 假 | 假 | 待机、运行、仅 MCU | LP_STANDBY(2) | TO_STANDBY |
I2C_3 位变为高电平(3) | 24(10) | 假 | 假 | 运行、仅 MCU | 无状态变化 | 器件已准备好进行 OTA NVM 更新。(6) |