ZHCU930 December 2022
并联电压基准 (U6_P) 将最终充电电压设置为 7.8V。NPN 晶体管 (Q4_P) 和 4.99Ω 电阻器 (R38_P) 将充电电流限制为大约 120mA (0.6V/4.99Ω)。NMOS FET (Q3_P) 在饱和区域中运行,以保持所需的充电压降。当 Vbackup(如原理图所示)达到 7.8V 时,U6_P 会立即将 Q3_P 的栅极拉低。这样一来,Vbackup 就会在标称 7.8V 处保持恒定。有两种充电场景:
总之,最坏情况下的充电时间为 1 分 21 秒,而储能放电之间的充电时间为 36.46 秒。