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ZHCU930 December 2022

计算所需的次级输出二极管或同步整流器 FET 反向电压或者阻断电压 (V_{DIODE_BLOCKING})：

Equation36.

V_{D I O D E_B L O C K I N G} = \frac{V_{I N_D C (m a x)}}{N_{P S}} + V_{O C V} = \frac{460 V \times \sqrt{2}}{7} + 12 V = 104.9 V

本参考设计为 +12Vp 电源轨选择了额定值为 200V、24A 的同步整流器 FET，以降低损耗。对于 ±14V 电源轨，选择了具有 200V 电压和 1A 正向电流额定值的肖特基二极管。

Equation30.

V_{D I O D E_B L O C K I N G_A U X} = \frac{V_{I N_D C (m a x)}}{N_{P A}} + (V_{O C V} + V_{F}) \times N_{A S} - V_{F A} = \frac{460 V \times \sqrt{2}}{4.81} + (12 V + 0.8 V) \times 1.455 - 0.6 V = 153 V

对于辅助电源轨，选择了具有 400V 电压和 1A 正向电流额定值的肖特基二极管。通常，200V 二极管就足够了，但必须考虑超过 153V 的尖峰。如果选择 300V 二极管，则二极管不会带来任何优势，因为 300V 和 400V 小型二极管在反向恢复时间和 V_F 方面没有差异。