ZHCU982
March 2022
TLVM13660
摘要
商标
1
高密度 EVM 说明
1.1
典型应用
1.2
特性和电气性能
2
EVM 性能技术参数
3
EVM 照片
4
测试装置和过程
4.1
EVM 连接
4.2
EVM 设置
4.3
测试设备
4.4
建议的测试设置
4.4.1
输入接头
4.4.2
输出接头
4.5
测试步骤
4.5.1
线路/负载调节和效率
5
测试数据和性能曲线
5.1
效率和负载调节性能
5.2
波形
5.3
波特图
5.4
热性能
5.5
EMI 性能
6
EVM 文档
6.1
原理图
6.2
物料清单
6.3
PCB 布局
6.4
装配图
6.5
多层叠
7
器件和文档支持
7.1
器件支持
7.1.1
开发支持
7.1.1.1
使用 WEBENCH® 工具进行定制设计
7.2
文档支持
7.2.1
相关文档
1.2
特性和电气性能
具有集成功率 MOSFET、降压电感器和 PWM 控制器的完整 6A 降压功率级
3V 至 36V 的宽输入电压工作范围(绝对最大额定值为 42V)
默认输出电压和开关频率分别为 5V 和 1MHz。使用跳线选项进行替代配置:
1.2V,500kHz
1.8V,500kHz
2.5V,600kHz
3.3V,750kHz
–5V,1MHz
在宽负载电流范围内实现高效率
V
IN
= 12V 和 24V 下的满载效率分别为 92% 和 91.4%
V
IN
= 12V 和 24V 下的半额定负载效率分别为 95% 和 93.5%
外部偏置选项可降低空载电源电流并提高
热性能
提高了噪声敏感型应用的
EMI 性能
符合 CISPR 11 和 CISPR 32 B 类 EMI 传导和辐射发射标准
输入 π 级 EMI 滤波器,带有用于并联阻尼的电解电容器
具有对称电容器布局的并行输入和输出路径可更大限度地减少辐射场耦合
FPWM 模式在整个负载范围内提供恒定的开关频率,以实现可预测的 EMI 特征
集成式输入、VCC 和自举电容器在小面积传导环路中保持高压摆率开关电流,以减少辐射发射。
峰值电流模式控制架构可实现快速线路和负载瞬态响应
集成环路补偿和频率比例斜坡补偿
固有保护特性,可实现稳健可靠的设计
具有峰值和谷值电流限制的过流保护 (OCP)
具有迟滞功能的热关断保护
使用 100kΩ 上拉电阻器连接到 VOUT 的 PGOOD 指示器
电阻可编程输入电压 UVLO 设置为分别在 V
IN
分别为 5.1V 和 3.65V 时开启和关闭
经全面组装、测试和验证的 4 层
PCB 设计
,总面积为 76mm × 63mm
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