INA851EVM 采用四层 PCB 设计。图 7-2 至图 7-6 显示了 PCB 分层图解。顶层由所有信号路径引线组成，并浇注了坚固的接地层。差分输入和输出采用对称电路板布局，以保持良好的性能匹配并提高共模噪声抑制能力。应尽可能对称地对正路径和负路径进行布线。增益电阻器 RG1 和 RG2 放置在靠近器件的顶层，这样可以减少寄生电容。电容器 C5 放置在靠近 VOCM 的位置，以避免注入共模噪声。去耦电容器 C6 和 C17 位于顶层尽可能靠近器件电源引脚的位置。第二个内部层是专用的实心 GND 平面。独立过孔位于每个元件的接地连接处，以提供低阻抗接地路径。第三个内部层和底层的作用是路由电源以及 VCLAMP+ 和 VCLAMP- 接头。

图 7-2 顶部覆盖层 PCB 布局

图 7-3 顶层 PCB 布局

图 7-4 接地层 PCB 布局

图 7-5 电源层 PCB 布局

图 7-6 底层 PCB 布局