ZHCUA72 January   2022 LM74502-Q1 , LM74502H-Q1

 

  1.   摘要
  2.   商标
  3. 1引言
    1. 1.1 特性
    2. 1.2 应用
  4. 2说明
    1. 2.1 输入电源和负载(J1/J5 和 J2/J6、J7/J11 和 J8/J12)
    2. 2.2 两个背对背连接的 MOSFET(Q1/Q2–Q3/Q4 和 Q6/Q7–Q8/Q9)
    3. 2.3 输出压摆率控制(R1 和 C1)
    4. 2.4 输出肖特基二极管(D4、D10)和 LED 指示(D6、D12)
    5. 2.5 测试点
  5. 3原理图
  6. 4测试设备要求
    1. 4.1 电源
    2. 4.2 仪表
    3. 4.3 示波器
    4. 4.4 负载
  7. 5测试设置和结果
    1. 5.1 初始设置
    2. 5.2 上电
    3. 5.3 通过 EN 导通
    4. 5.4 浪涌电流控制
    5. 5.5 过压响应
    6. 5.6 反极性保护
  8. 6电路板布局和物料清单
    1. 6.1 电路板布局
    2. 6.2 物料清单

物料清单

表 6-1 物料清单
标识符数量说明封装参考器件型号制造商
C110.01µF电容器,陶瓷,0.01µF,100V,+/-10%,X7R,AEC-Q200 1 级,0603603CGA3E2X7R2A103K080AATDK
C2、C620.1µF电容器,陶瓷,0.1µF,100V,+/- 10%,X7R,AEC-Q200 1 级,0603603HMK107B7104KAHTTaiyo Yuden(太阳诱电)
C31100µF电容器,铝,100uF,80V,+/- 20%,320mΩ,SMD

径向,Can-SMD

EEE-FK1K101AV

Panasonic(松下)
C4、C1320.1µF电容器,陶瓷,0.1uF,25V,+/-10%,X7R,AEC-Q200 1 级,0603603CGA3E2X7R1E104K080AATDK
C5、C1422.2µF电容器,陶瓷,2.2μF,100V,+/-10%,X7R,12101210C1210C225K1RACTUKemet(基美)
C914.7µF电容器,陶瓷,4.7µF,100V,+/- 10%,X7S,AEC-Q200 1 级,12101210GCM32DC72A475KE02LMuRata(村田)
C11、C12210µF电容器,陶瓷,10µF,50V,+/- 10%,X7R,AEC-Q200 1 级,6x5mm6x5mmC2220C106K5R1CAUTOKemet(基美)
D3133V二极管,TVS,双向,33V,SMBSMBSMBJ33CA-13-FDiodes Inc.
D6、D122绿色LED,绿色,SMD1.6x0.8x0.8mmLTST-C190GKTLite-On(建兴电子)
FID4、FID5、FID63基准标记。没有需要购买或安装的元件。不适用不适用不适用
H1、H2、H3、H44机械螺钉,圆头,#4-40 x 1/4,尼龙,飞利浦盘形头螺钉NY PMS 440 0025 PHB&F Fastener Supply
H5、H6、H7、H84六角螺柱,0.5"L #4-40,尼龙螺柱1902CKeystone
J1、J2、J5、J6、J7、J8、J11、J128标准香蕉插头,非绝缘,8.9mmKeystone575-8575-8Keystone
J3、J92接头,100mil,2x1,锡,TH接头,2 引脚,100mil,锡PEC02SAANSullins Connector Solutions(赛凌思科技有限公司)
J4、J102接头,100mil 3x1,锡,TH接头,3 引脚,100mil,锡PEC03SAANSullins Connector Solutions(赛凌思科技有限公司)
LBL11热转印打印标签,0.650"(宽)x 0.200"(高)- 10,000/卷PCB 标签 0.650 x 0.200 英寸THT-14-423-10Brady(布雷迪)
Q3、Q4、Q8360V

MOSFET,N 沟道,60V,100A,AEC-Q101,DFN5 5x6mm

DFN5 5x6mm

DMNH6012SPSQ-13

Vishay-Siliconix(威世硅尼克斯)
R11100电阻器,100,5%,0.1W,AEC-Q200 0 级,0603603CRCW0603100RJNEAVishay-Dale(威世达勒)
R210电阻器,0,5%,0.25W,AEC-Q200 0 级,12061206RCA12060000ZSEAVishay-Dale(威世达勒)
R4、R11212k电阻器,12k,5%,0.1W,AEC-Q200 0 级,0603603CRCW060312K0JNEAVishay-Dale(威世达勒)
R6、R12、R16、R1840电阻器,0,5%,0.1W,AEC-Q200 0 级,0603603CRCW06030000Z0EAVishay-Dale(威世达勒)
R7、R132100k电阻器,100k,0.5%,0.1W,AEC-Q200 0 级,0603603CRCW0603100KDHEAPVishay-Dale(威世达勒)
R9、R1523.48k电阻器,3.48k,1%,0.1W,AEC-Q200 0 级,0603603CRCW06033K48FKEAVishay-Dale(威世达勒)
R1710电阻器,0,5%,1.5W,AEC-Q200 0 级,25122512CRCW25120000Z0EGHPVishay-Dale(威世达勒)
SH-J1、SH-J2、SH-J3、SH-J441x2分流器,100mil,镀金,黑色顶部闭合 100mil 分流器SPC02SYANSullins Connector Solutions(赛凌思科技有限公司)
TP1、TP2、TP3、TP4、TP9、TP10、TP11、TP128测试点有插槽,0.118",TH测试点,TH 插槽测试点1040Keystone
TP5、TP6、TP7、TP8、TP13、TP14、TP15、TP168测试点,微型,橙色,TH橙色微型测试点5003Keystone
U11具有过压保护功能的反极性保护控制器SOT23-8LM74502-Q1米6体育平台手机版_好二三四 (TI)
U21具有过压保护功能的反极性保护控制器SOT23-8LM74502H-Q1米6体育平台手机版_好二三四 (TI)
C700.1µF电容器,陶瓷,0.1µF,100V,+/-10%,X7R,AEC-Q200 1 级,12061206CGA5L2X7R2A104K160AATDK
C1004.7µF电容器,陶瓷,4.7µF,100V,+/- 10%,X7S,AEC-Q200 1 级,12101210GCM32DC72A475KE02LMuRata(村田)
D10100V二极管,肖特基,100V,0.15A,SOD-123SOD-123BAT46W-7-FDiodes Inc.
D2、D8058V二极管,TVS,单向,58V,93.6Vc,SMBSMBSMBJ58A-13-FDiodes Inc.
D4、D10070V二极管,肖特基,70V,1A,SMASMAB170-13-FDiodes Inc.
D5、D11024V二极管,TVS,单向,24V,38.9Vc,SMBSMBSMBJ24A-13-FDiodes Inc.
D7056V二极管,齐纳,56V,500mW,AEC-Q101,SOD-123SOD-123MMSZ5263BT1GON Semiconductor(安森美半岛体)
D9033V二极管,TVS,双向,33V,SMBSMBSMBJ33CA-13-FDiodes Inc.
D13、D14018V二极管,齐纳,18V,500mW,SOD-123SOD-123DDZ18C-7Diodes Inc.
FID1、FID2、FID30基准标记。没有需要购买或安装的元件。不适用不适用不适用
Q1、Q2、Q6、Q7、Q9060V

MOSFET,N 沟道,60V,100A,AEC-Q101,DFN5 5x6mm

DFN5 5x6mm

DMNH6012SPSQ-13

Vishay-Siliconix(威世硅尼克斯)
Q5040V晶体管,NPN,40V,0.2A,SOT-23SOT-23MMBT3904Fairchild Semiconductor(安森美半岛体)
R5010.0kΩ电阻器,10.0k,1%,0.1W,AEC-Q200 0 级,0603603RMCF0603FT10K0Stackpole Electronics Inc(斯塔克波尔电子公司)
R8、R1400电阻器,0,5%,0.1W,AEC-Q200 0 级,0603603CRCW06030000Z0EAVishay-Dale(威世达勒)