Q1 和 Q2 分别是额定电压为 200V 和 60V 的 N 沟道 MOSFET，能够为汽车应用提供 2A 负载电流。MOSFET 以共源极拓扑背对背连接，因此可支持 200V 未抑制负载突降保护、反向电池保护、反向电流阻断，并可在禁用或过压情况下提供电源路径切断。方案 Q3 提供将电流扩展至 5A 的电流，可用于验证其他 MOSFET。