ZHCUAM4 March   2021

 

  1.   LM74800 评估模块：LM74800EVM-CS
  2.   商标
  3. 1引言
    1. 1.1 特性
    2. 1.2 应用
  4. 2说明
    1. 2.1 输入功率和负载（J1/J3 和 J2/J4）：
    2. 2.2 使能控制 (J5)：
    3. 2.3 过压保护 (J6)：
    4. 2.4 两个背对背连接的 MOSFET（Q1/Q3 和 Q2）：
    5. 2.5 输出压摆率控制（R2 和 C4）：
    6. 2.6 输出肖特基二极管 (D3) 和 LED 指示：
    7. 2.7 针对 200V 未抑制负载突降保护的 TVS 选择：
    8. 2.8 测试点：
  5. 3原理图
  6. 4测试设备要求
    1. 4.1 电源
    2. 4.2 仪表
    3. 4.3 示波器
    4. 4.4 负载
  7. 5测试设置和结果
    1. 5.1 初始设置
    2. 5.2 上电
    3. 5.3 未抑制的 200V 负载突降保护
    4. 5.4 ISO 7637-2 脉冲 1–600V 50Ω
  8. 6电路板布局和物料清单
    1. 6.1 电路板布局
    2. 6.2 物料清单
  9.   修订历史记录

1 引言

TI 的 LM74800 评估模块 LM74800EVM-CS 可帮助设计人员评估具有开关输出的 LM74800-Q1 理想二极管控制器的运行情况和性能。LM7480x-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。本评估模块演示了 LM74800-Q1 以及配置为共源极拓扑的两个背对背 N 沟道 MOSFET 如何为下行电路提供 200V 未抑制负载突降保护和反向电池保护。第一个栅极驱动器 HGATE 控制外部 N 沟道 MOSFET，以关闭或将输出电压钳制到可接受的安全水平，第二个栅极驱动 DGATE 控制另一个外部 N 沟道 MOSFET，以模拟理想二极管。
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