ZHCUAM4 March   2021

 

  1.   LM74800 评估模块：LM74800EVM-CS
  2.   商标
  3. 1引言
    1. 1.1 特性
    2. 1.2 应用
  4. 2说明
    1. 2.1 输入功率和负载（J1/J3 和 J2/J4）：
    2. 2.2 使能控制 (J5)：
    3. 2.3 过压保护 (J6)：
    4. 2.4 两个背对背连接的 MOSFET（Q1/Q3 和 Q2）：
    5. 2.5 输出压摆率控制（R2 和 C4）：
    6. 2.6 输出肖特基二极管 (D3) 和 LED 指示：
    7. 2.7 针对 200V 未抑制负载突降保护的 TVS 选择：
    8. 2.8 测试点：
  5. 3原理图
  6. 4测试设备要求
    1. 4.1 电源
    2. 4.2 仪表
    3. 4.3 示波器
    4. 4.4 负载
  7. 5测试设置和结果
    1. 5.1 初始设置
    2. 5.2 上电
    3. 5.3 未抑制的 200V 负载突降保护
    4. 5.4 ISO 7637-2 脉冲 1–600V 50Ω
  8. 6电路板布局和物料清单
    1. 6.1 电路板布局
    2. 6.2 物料清单
  9.   修订历史记录

2.8 测试点：

标记为 DGATE (TP4) 的测试点用于监控 Q2 的栅极电压，而 HGATE (TP3) 用于 Q1 的栅极电压。标有 VIN (TP1) 的测试点测量输入电压，VOUT (TP2) 测量输出电压。标有 VA (TP6) 的测试点也连接到 A 引脚，用于测量 Q1 和 Q2 MOSFET 的源极电压。测试点 GND1、GND3 和 GND4 提供对输入 GND 电压的访问，GND2 提供对 LM74800-Q1 GND 引脚的访问。

表 2-1 连接器：输入和输出
连接器说明
J1输入电源正电源轨的电源输入连接器
J3电源的接地连接
J2负载正极侧的电源输出连接器
J4负载的接地连接
表 2-2 测试点说明
测试点 说明
VIN EVM 的输入电源
VOUT EVM 的输出
VA Q1 和 Q2 MOSFET 以及 LM7480x-Q1 的 A 引脚的共源极测试点
DGATE 理想二极管 MOSFET 栅极控制的输出
HGATE 热插拔 MOSFET 栅极控制的输出
GND1、GND 2、GND3 和 GND4 EVM 接地测试点
表 2-3 跳线和 LED 说明
跳线 说明
J5 EN/UVLO 控制
  • 1-2 通过连接到 VIN 使能
  • 2-3 通过连接到 GND 禁用
J6 OVP 设置
  • 1-2 OVP 设置为 37.5V 时的输出钳位（迟滞）
  • 2-3 OVP 设置为 38.4V 的输入 OVP 切断
J7 启用输出的 LED 指示
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