按照以下说明在 TPS48111Q1EVM 上执行过流测试：

1. 按照预充电功能测试 中的步骤对输出电压进行预充电。
2. 然后，启用主 MOSFET 的控制输入 INP (TP6)。
3. 通过将 INP_G (TP24) 接地来禁用预充电 FET。
4. 默认情况下，此 EVM 配置为 5A 过流保护。
5. 使用变阻器或电子负载加载输出并逐渐增大负载电流，观察 TPS48111-Q1 的过载行为。
6. 将跳线 J3 置于其他设置，从而在多个过流限值下进行测试。

图 5-7 和图 5-8 展示了过流故障情况下的测试波形。