ZHCUAO9A December   2021  – December 2022 TPS4811-Q1

 

  1.   TPS48111Q1EVM:TPS48111-Q1 智能高侧驱动器评估模块
  2.   商标
  3. 1引言
    1. 1.1 EVM 特性
    2. 1.2 EVM 应用
  4. 2说明
  5. 3原理图
  6. 4一般配置
    1. 4.1 物理访问
    2. 4.2 测试设备和设置
      1. 4.2.1 电源
      2. 4.2.2 仪表
      3. 4.2.3 示波器
      4. 4.2.4 负载
  7. 5测试设置和过程
    1. 5.1 预充电功能测试
    2. 5.2 通过 EN 控制实现上电
    3. 5.3 通过 INP 输入进行导通和关断控制
    4. 5.4 过流保护测试
    5. 5.5 输出热短路测试
  8. 6评估板装配图
    1. 6.1 PCB 图
  9. 7物料清单 (BoM)
  10. 8修订历史记录

预充电功能测试

按照以下说明捕获预充电电流曲线:

  1. 首先,通过将 INP (TP6) 和 INP_G (TP24) 接地来禁用主 MOSFET 和预充电 FET。
  2. 将 EVM 上的跳线设置到默认位置,如表 5-1 所示。
  3. 将输入电源电压 VIN 设置为 48V,将电流限制设置为 10A。
  4. 启用电源。
  5. 通过释放接地连接来启用预充电 MOSFET 的控制输入(TP24 上的 INP_G)。
  6. 观察 SRC 的波形,即示波器显示的 VOUT (TP2)。

图 5-2 展示了在 TPS48111Q1EVM 评估板上捕获的预充电电流曲线的示例。

图 5-2 输出电容的预充电曲线(VIN = 48V,COUT = 440µF,无负载)