以下是优化 AEF 电路运行的一些注意事项和最佳实践：
- 如果启用 AEF 的 EMI 测量未按预期执行，则应在稳压器开关期间探测 TPSF12C3 INJ 引脚电压。确认 INJ 电压在正电源轨或负电源轨附近没有被削波，如节 2.4的步骤 4 所述。
- 如果 INJ 电压被削波，则应增大稳压器侧 Y 电容和/或注入电容。然后使用 TPSF12C3 快速入门计算器或通过仿真重新检查环路稳定性。
- 金属机箱结构是总体滤波器实现的关键部分。滤波器 PCB 通常使用多个螺钉附件安装到机箱结构上，机箱用于连接滤波器 PCB 上的各种 GND 节点.这些节点并未明确地与 PCB 覆铜区连接，而是依靠机箱来完成电气连接。因此，机箱将成为 CM 噪声电流的最低阻抗返回路径。
- 在测试包含机箱的电源系统时（如图 3-3 所示），CM 噪声可以容性耦合到 EMI 测量设置的参考接地平面，从而绕过与该接地平面不密切相关的滤波器电路。在这种情况下，TI 建议将滤波器 EVM 的 GND 平面直接绑定到该设置的接地平面。这还有助于更大限度地减小与 AEF 电路的 GND 连接中的寄生电感。然后，从功率级发出的 CM 噪声电流通过 Y 电容器（有源和无源）的低分流阻抗进行再循环，从而防止噪声到达 LISN。
- 基于有效 Y 电容的放大结果，AEF 可减小 CM 扼流电感，同时保持相同的 LC 转角频率和 CM 衰减特性。但是，具有更低 CM 电感和更小尺寸的扼流圈通常具有更低的漏电感，这是导致 DM 与 X 电容器一起衰减的原因。
- 如果在使用较小的 CM 扼流圈时会显著降低 DM 电感，则应增大 X 电容或添加一个小型分立式电感器以获得足够的 DM 衰减。否则，高 DM 噪声分量（相对于 CM 分量）可能会主导总噪声测量，从而掩盖 AEF 对 CM 噪声降低的影响。
- 检测和注入电容的典型值分别为 680pF 和 22nF。根据目标应用中的最终实现，EVM 上安装的默认阻尼和补偿元件值可能需要用户进行适当修改，才能实现可接受的环路稳定性。铁氧体扼流圈本质上比纳米晶类型更难以稳定。