LMG352xR030 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。

LMG352xR030 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关安全工作区 (SOA)。这种集成与我们的低电感封装相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。其他特性（包括用于 EMI 控制的可调栅极驱动强度、过热保护、稳健过流保护和故障指示）可提供优化的 BOM 成本、布板尺寸和外形尺寸。

高级电源管理功能包括数字温度报告和 TI 的理想二极管模式。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告，这使系统能够管理负载。理想二极管模式通过启用自适应死区时间控制功能来降低第三象限损耗，从而更大限度地提高效率。