ZHCUAT3B November 2017 – February 2023

6 RCD-Snubber Calculator for Flyback Converters

在反激式转换器中，输出电压从次级侧反射到初级侧。此外，由布局和反激式变压器漏电感引起的寄生效应会导致电压尖峰，然后在 MOSFET 关闭时产生振铃。可以通过与初级绕组并联实施 RCD 缓冲器电路来限制电压尖峰和振铃。高频振铃的能量在 RCD 网络中消散。Power Stage Designer 中的 RCD-Snubber Calculator for Flyback Converters 可以帮助设计人员根据用户输入选择缓冲器电阻器和电容器的起始值，具体如下：

输出电压与整流器电压之和
反激式变压器匝数比
漏电感
最大初级电流
开关频率
允许的电压过冲作为一个因素
缓冲器电容器电压纹波百分比

图 6-1 展示了“RCD-Snubber Calculator for Flyback Converters”窗口。

图 6-1 “RCD-Snubber Calculator for Flyback Converters”窗口

V_snub 是反射输出电压加上由变压器漏电感和开关节点寄生效应引起的允许过冲。因此，K_snub 的值大于 1。对于大多数应用，TI 建议使用值 1.5，允许 50% 的过冲（请参阅 [1]）。请参阅Equation14。

Equation14.

V_{s n u b} = K_{s n u b} \times \frac{N_{p}}{N_{s}} \times (V_{o u t} + V_{f})

启动缓冲器电阻：

Equation15.

R_{s n u b} = \frac{{V_{s n u b}}^{2}}{{\frac{1}{2} \times L}_{l e a k} \times {I_{m a x, p r i}}^{2} \times \frac{V_{s n u b}}{V_{s n u b} - \frac{N_{p}}{N_{s}} \times (V_{o u t} + V_{f})} \times f_{s W i t c h}}

起始缓冲电容：

Equation16.

C_{s n u b} = \frac{V_{s n u b}}{{∆ V}_{s n u b} \times V_{s n u b} \times R_{s n u b} \times f_{s W i t c h}}