ZHCUAT4 February 2023 TPS1211-Q1
TPS1211Q1EVM 可对 TI 的 TPS1211-Q1 智能高侧驱动器进行参考电路评估。TPS1211-Q1 的工作电压范围为 3.5V 至 40V，具有 4A 的强大栅极驱动强度，可在高电流设计中实现开关并联 MOSFET。控制器 TPS1211-Q1 可驱动背对背 N 沟道 MOSFET 并具有一个单独的预充电驱动器 (G)，该驱动器具有独立的控制输入 (INP_G)，可驱动大容性负载。该器件提供配有可调断路器计时器的两级可调过流保护、快速短路保护、准确的模拟电流监视器输出和远程过热保护功能。