ZHCUAU0A january   2023  – april 2023 TPS7H3302-SEP

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2说明
    1. 2.1 相关信息
    2. 2.2 典型应用
    3. 2.3 特性
    4. 2.4 性能规格汇总
  6. 3测试设置
    1. 3.1 设备
      1. 3.1.1 电源
      2. 3.1.2 1 号负载
    2. 3.2 EVM 连接器和测试点
    3. 3.3 测试步骤
      1. 3.3.1 EVM 波特图测量设置
      2. 3.3.2 EVM 瞬态测试
  7. 4电路板布局
  8. 5原理图
  9. 6物料清单
  10. 7相关文档
  11. 8修订历史记录

EVM 波特图测量设置

EVM 波德图测量的设置如下:

  1. 使用 Bode 100 环路分析仪或等效设备。
  2. 移除 J5 上的跳线,将 VDDQSNS 与 VLDOIN 隔离。要使用连接到单个 VDDQ 和 VDDQSNS 的 VLDOIN 进行测试,请使用可选滤波器。请参阅以下注意事项
  3. 将振荡器输出连接到 R3=51Ω 电阻器两端。将振荡器输出连接到 TP4 (VTTSNS)。
  4. 将分析仪的通道 2 连接到 TP5,并将地线连接到 TP2
  5. 将分析仪的通道 1 连接到 TP4,并将地线连接到 TP2。
  6. 为 EVM 提供 VLDOIN、VIN、VDDQSNS 和 VTT 负载所需的条件。
  7. 将 EVM 加载到所需负载后,在所需频率范围内运行波特图。

为验证负载和额定工作温度下的稳定性,请在应用电路中安装四个 4.7uF 陶瓷输出电容器。

注意: 所有提供的波特测量值 VDDQSNS 均由 VLDOIN 的独立电源提供。如果 VDDQSNS 和 VLDOIN 输入连接到同一电源,请使用 EVM 上的隔离滤波器将 VLDOIN 上的负载影响与 VDDQSNS 隔离开来。可以通过更换 R4 和 C3 的组件来使用该滤波器。
图 3-1图 3-3 显示了此 EVM 的波特图。所有波特图都使用 EVM 上填充的默认 CIN 和 COUT 电容生成。CIN = 150µF 钽 // 5µF-10µF 陶瓷,COUT = 3µF-150µF 钽 // 4µF-4.7µF 陶瓷。

GUID-20230414-SS0I-TM92-LHBF-X5PCG1NMC0WJ-low.svg图 3-1 DDR3 波特图 Iload = 500mA
GUID-20230414-SS0I-GW1X-9Q2Q-BRCHGMW87ZWM-low.svg图 3-2 DDR3 波特图 Iload = 1A
GUID-20230414-SS0I-5THT-SMLG-CNZHR8JHH2XW-low.svg图 3-3 DDR3 波特图 Iload = 3A

TI 建议 VLDOIN 和 VDDQSNS 相互隔离。如果无法隔离 VLDOIN 和 VDDQSNS,则在 VLDOIN 和 VDDQSNS 之间添加一个外部输入滤波器。在 VLDOIN 和 VDDQSNS 之间添加 RC 滤波器会导致 VTT 和 VTTREF 对 VDDQSNS 的动态跟踪丢失。