瞬态测试设置电路是 EVM 的一部分。

内置瞬态负载开关（具有灌电流和拉电流能力）可用于模拟灌电流或拉电流瞬态行为以评估动态性能。为了方面使用，负载阶跃和瞬态时序都可以通过板载电阻器进行修改。该 EVM 具有两组连接的四个并联 1.6Ω 电阻器，用于 VTT 到 GND 和 VTT 到 V2 的瞬态负载，以适应拉电流和灌电流评估。电阻器 R13 可以选择填充零 Ω 电阻器，以利用 VLDOIN 作为灌电流瞬变源。由于 VLDOIN 上引入的瞬变，此方法可能会导致响应不佳，尤其是当 VDDQSNS 连接到 VLDOIN 时。

1. 移除所有外部负载。
2. 放置跳线 J14（引脚 2 和 3）源负载选择器（标有“EN”）。
3. 放置跳线 J15（引脚 1 和 2）灌电流负载选择器。
4. 移除跳线 J5，将 VDDQSNS 与 VLDOIN 隔离。
5. 对 VIN 施加 2.5V 电压。
6. 对 J7/J9 VLDOIN 施加 1.5V 电压。
7. 对 J16/J17 V2 施加 1.5V 电压（这是灌电流瞬变源）。
8. 对 J4/J3 VDDQSNS 施加 1.5V 电压。如果使用未与 VLDOIN 隔离的 VDDQSNS 进行测试，请安装 J10，并且仅适用于 VLDOIN（性能降低）。
9. 监控 VTT 以确保存在 VTT 电压。VTT 约为 750mV。
10. 对 J13（引脚 2 [+]、引脚 1 [-]）施加 5V 电压（或通过 TP15、TP16），这为瞬态负载设置提供电源。
11. 使用示波器监视 J10 处的 VTT，以查看瞬态结果。

下图显示了使用为 DDR3 电压配置的瞬态电路的结果。所有绘图都显示了应用了 750mV 失调电压后的 VTT 和 VTTREF。除了 VTT 和 VTTREF 之外，这些绘图还包含时钟信号 (CLK)、VTTREF - VTT 之差的数学函数，以及 V2 的电流测量值。请注意，V2 仅代表器件灌电流时的电流。因此，在拉电流期间，该电流为零。在拉电流期间，通过 VLDOIN 提供几乎相同的电流。

图 3-5 显示了灌电流和拉电流均已启用的电路的响应。

图 3-5 显示了仅施加灌电流瞬态的电路响应。此方法可以通过仅在 J15 上安装分流器而不在 J14 上安装分流器来测试。

图 3-6 显示了仅施加拉电流瞬态的电路响应。此方法可以通过仅在 EN 引脚 J14 上安装分流器而不在 J15 上安装分流器来测试。

图 3-7 显示了 VDDQSNS 未与 VLDOIN 隔离，但同时启用了灌电流和拉电流的瞬态响应。VLDOIN 上的瞬变也会影响 VDDQSNS 并导致不良干扰。通过在 VLDOIN 的 VDDQSNS 上实施滤波器，可以改善瞬态响应。可以通过更换 R4 和 C3 的组件来实施该滤波器。请注意，由于 VLDOIN 和 VDDQSNS 瞬变，VTTREF 会出现较大波动。

图 3-4 在启用灌电流和拉电流，并隔离 VDDQSNS 时的 DDR3 示波器图响应。

图 3-5 仅隔离 VDDQSNS 并且施加 1.875A 灌电流时的 DDR3 示波器响应图

图 3-6 仅隔离 VDDQSNS 并且施加 1.875A 拉电流时的 DDR3 示波器响应图

图 3-7 施加 1.875A 灌电流并且具有非隔离 VDDQSNS 的 DDR3 示波器响应图