此 EVM 具有以下特性：

• 输入内核电压 VDD 支持 2.5V 和 3.3V 电源轨
• V_LDOIN，V_DDQ 电压范围：0.9V – 3.5V
• 动态性能评估功能：
  • 用于瞬态负载阶跃仿真的灌电流和拉电流集成负载开关
  • 通过板载电阻器进行可配置的负载阶跃和压摆率控制
    警告： 使用内置瞬态测试电路的默认 EVM 配置支持在 ±1.5A 下测试 DDR4，在 ±1.875A 下测试 DDR3，在 ±2.25A 下测试 DDR2。要评估 DDR 节点或 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的不同电流，需要改变电阻器 R6-R9 和 R17-R20 的总电阻，使其不超过器件最大额定值。
• 用于器件启用的跳线 J14（引脚 1 和 2）。（未安装 J14 时启用）
• 用于探测 PGOOD、CLK_IN 和环路响应测试的便捷测试点
• 不使用独立 VDDQSNS 源时 VDDQSNS 到 VLDOIN 滤波器的可选占位符