内置于电源模块中的 NTC 温度传感器被检测并通过隔离式数字信号反馈至控制器。该信号是频率变化、占空比为 50% 的方波。温度传感器的位置尽可能靠近功率器件，同时保持与功率器件的电气隔离，因此可提供近似的底板温度。NTC 报告的温度与 SiC MOSFET 的结温有很大差异，不得用作精确的结温测量值。有两种方法可以通过控制器测量三个 XM3 模块的 NTC 反馈信号。第一种方法是使用增强型捕捉 (eCAP) 外设以数字方式测量直接来自差分接收器的信号频率。图 3-9 和表 3-4 提供了 NTC 信号频率与 NTC 温度之间的关系。对于第二种方法，频率信号经过滤波并转换为模拟信号，可以通过控制器上的 ADC 测量该模拟信号。当频率为 4.6kHz 时，模拟电压测量值为 0.38V；当频率为 30.1kHz 时，模拟电压测量值为 2.5V。

图 3-9 NTC 温度与信号频率之间的关系

图 3-10 使用 25°C 冷却液时 CAB450M12XM3 虚拟结温 (T_VJ) 与 NTC 电阻之间的关系。

图 3-10 展示了 CAB450M12XM3 模块的 NTC 电阻（R_NTC，以欧姆为单位）与虚拟结温 (T_VJ) 之间的映射。可以使用以下公式来计算虚拟结温：

控制器 PCB 上安装了一个额外的温度传感器，用于测量参考设计外壳内的环境温度。该温度传感器包含一个 10kΩ NTC 表面贴装热敏电阻和一个构成分压器的固定电阻器。随着温度升高，分压器中点处的电压也会升高。该电压经过低通滤波，以消除缓慢变化的温度中的任何高频噪声。可通过以下公式来实现该电压信号 V_T 与热敏电阻温度（以开尔文为单位）之间的转换：