可以通过充分降低功耗来提高热性能。R_DS(on) 上的功耗、开关损耗和工作电源电流损耗是 MCT8315A 中的主要功耗来源。由于 MOSFET 集成在 MCT8315A 中，因此 R_DS(on) 上的功耗是固定的。请遵循以下建议，以便尽可能降低开关损耗和工作电源电流损耗。

第 1 步：增加栅极驱动器压摆率 [SLEW_RATE]

请注意，增加压摆率会增加 EMI 噪声。

第 2 步：减小 PWM 输出频率 [PWM_FREQ_OUT]

请注意，对于电感非常低的电机，减小 PWM 输出频率可能导致相电流不连续。

第 3 步：将 PWM 调制 [PWM_MODUL] 配置为混合调制。在此调制方案中，高侧和低侧 MOSFET 之间的开关损耗均匀分布。

第 4 步：启用 ASR [EN_ASR] 和 AAR [EN_AAR]，并将 PWM 模式 [PWM_MODE] 配置为单端模式。

请注意，在禁用 AAR 时启用 ASR 可能会导致不同步。