校准是任何电表性能的关键，每个电表都必须进行校准才能发挥良好性能。最初，由于器件间差异、传感器精度和其他无源容差，每个电表的精度都不同。为消除其影响，必须校准每个电表。要准确执行校准，必须具有一个精确的交流测试源和一个参考表。此测试源必须能够生成任何所需的电压、电流和相移（V 和 I 之间）。为计算测量误差，参考表用作接口连接测试源与校准电表。本节论述了用于简单校准此三相电表设计的有效方法。

用于显示测量结果的 GUI 也可轻松用于校准设计。校准期间，将在测试软件中修改校准因数类参数，以在测量中实现最小的误差。对于此电表，每个相位有六个主要校准因数，分别为电压比例因数、有功功率偏移（在 GUI 中错误地称为电压交流偏移）、电流比例因数、无功功率偏移（在 GUI 中错误地称为电流交流偏移）、功率比例因数和相位补偿因数。电压、电流和功率比例因数将计量软件中测量的数量转换为实际值，分别以伏特、安培和瓦特为单位。功率偏移用于减去电压-电流串扰，该串扰表现为恒定功率偏移，并会在低电流下导致更大误差。请注意，偏移校准未用于测试此特定设计。最后一个校准因数是相位补偿因数，用于补偿电流传感器和其他无源器件引入的任何相移。请注意，电压、电流和功率校准因数相互独立。因此，校准电压不会影响 RMS 电流或功率的读数。

当电表软件首次在 MSPM0G3507 器件上刷写时，默认校准因数将加载到这些校准因数。校准期间，通过 GUI 修改校准因数或值。校准因数还存储在最后一个 MSPM0+ MCU 闪存扇区中，因此，如果重新启动电表，校准因数将保持不变。

使用以下方法之一，可在 mspm0g3507.cmd 文件中定义这些设置：

• #define CALIBRATION_START_ADDR (TOTAL_FLASH_SIZE - TOTAL_FLASH_SIZE)
• 当 TOTAL_FLASH_SIZE = 0x20000 且 FLASH_SECTOR_SIZE = 0x400 时，0x1FC00 为最后一个闪存区域扇区的起始地址

此外，必须将所有 5 个闪存访问例程置于 RAM 区域，这是因为在进行校准时，将对最后一个闪存扇区执行多次读取和写入操作。

为此，可使用“flash_M0G.h”文件中的编译器指令，例如：

void __attribute__((section(".ramfunc"))) flash_clr_calibration(void);

由于 MSPM0+ MCU 闪存存储是 64 位对齐，因此闪存存储中的所有数据对齐都是 64 位或 palign(8)，如“mspm0g3507.cmd”文件所示。

.rodata : palign(8) {} > FLASH

.caldata : palign(8) {} > CALIBRATION

任何比例因数的校准都称为增益校正。相位补偿因数的校准称为相位校正。在整个校准过程中，交流测试源必须打开，电表连接应与图 4-2 一致，且电能脉冲应连接至参考表。