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ZHCUB53A july 2023 – july 2023 TPSF12C1 , TPSF12C1-Q1

2.4 EVM 性能验证

在 J7 的 VDD 和 GND 端子之间施加 8V 至 16V（标称 12V，纹波电压峰峰值小于 20mV）的辅助电源电压。以 GND 为基准探测接头 J1 处的 INJ 端子，它应该在 V_VDD/2 的直流电压下运行，并且没有指示不稳定的交流扰动。VDD 电流消耗应约为 12mA。
用户应在连接到高压功率级之前执行低压测试。要提供 CM 激励，请从稳压器侧电源连接器 J6 上的函数发生器连接 5V 峰峰值方波源，如图 3-4 所示。与源极串联的 1nF 电容器模拟实际的 CM 噪声源阻抗。
- 使用 CM 激励源，验证 TPSF12C1 INJ 引脚的动态电压范围。确保 INJ 引脚在相对于 GND 的 2.5V 至 V_VDD – 2V 电压窗口中运行。
在 J5 的输入侧连接一个 LISN，并在禁用 AEF 的情况下测量 EMI（在 J8 处 EN 跳接至 OFF），以对现有的无源滤波器进行基准测试。禁用 AEF 后，可通过将 J1 的 INJ 端子连接到 GND，将注入电容器的底部端子短接至 GND。这将模拟等效无源滤波器设计中的 Y 电容器连接。
移除注入电容器上的下拉短路，并通过允许 EN 悬空至高电平来启用 AEF 电路。重复 EMI 测量，以量化与 AEF 电路运行相关的 EMI 降低量。
以类似的方式（但将 LISN 替换为从 L 和 N 连接到 GND 的 50Ω 负载），请使用合适的网络分析器来比较滤波器插入损耗 性能。EVM 上的 SMB 插孔 J2、J3 和 J4 分别便于信号注入、参考测量和测试测量。
使用高压安全防护措施，连接开关功率级，如图 3-3 所示。移除元件 R1、R2 和 C20，以更大限度增加从高压节点到 SMB 插孔附近接地的间隙间距。在启用和禁用 AEF 的情况下打开稳压器并执行 EMI 测量，与上述步骤 3 和 4 中概述的过程类似。
关断稳压器。等待所有高压电容器完全放电。
关断 IC，并移除 VDD 电源。