图 3-2 展示了一个典型的 EMI 测量设置。线路阻抗稳定网络 (LISN) 与每条电源线串联，可测量包括 DM 和 CM 传播元件在内的总 EMI。分离器/组合器可用于从总体噪声测量中提取 DM 和 CM 噪声特征。

图 2-2 单相系统的 EMI 测量设置

交流/直流稳压器具有内部高 dv/dt 开关节点，这些节点可以将 CM 噪声容性耦合到机箱。因此，必须验证 EMI 滤波器中的 Y 电容器是否以机箱为基准，如图 3-2 所示。然后，Y 电容器可以在紧密传导环路中将 CM 噪声电流返回到噪声源。否则，噪声电流会在参考接地层中流回 LISN，使得 EMI 滤波器的效率降低。

图 3-3 展示了用于评估连接了功率级的 TPSF12C1 性能的推荐设置。

图 2-3 用于连接了交流/直流功率级的高压测试的 EVM 设置原理图

图 3-3 中的两相交错升压 PFC 拓扑表示典型的单相交流/直流稳压器，仅用作说明。该设置本质上与稳压器拓扑无关。

同时，图 3-4 展示了专用于有源滤波器设计的低电压测试的原理图，包括插入损耗测量和 EMI 性能特性。这有助于在连接到高压开关稳压器之前，轻松方便地验证有源滤波器电路。良好的信号源和耦合电容器可提供 CM 激励，以模拟与实际功率级的开关节点行为相关的 CM 噪声源电压和噪声源阻抗。

图 2-4 用于低压测试的 EVM 设置原理图