LMG2100 器件是一款 80V 连续、100V 脉冲式 35A 半桥功率级，具有集成的栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。该器件包含两个 100V GaN FET，这两者由采用半桥配置的同一高频 80V GaN FET 驱动器进行驱动。该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。这为高频、高功率密度和高效的电源转换提供了出色的选择。

LMG2100 采用 5.5mm x 4.5mm x 0.89mm 无铅 QFN 封装，顶部有裸露芯片用于进行冷却。该器件的电源引脚经过优化，可轻松实现 PCB 布局，从而实现更小的电源环路。该器件支持适用于栅极信号的 3.3V、5V 和 12V 输入逻辑电平。