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ZHCUB82A november 2022 – july 2023 TPSF12C1 , TPSF12C1-Q1

2.4 EVM 性能验证

将 EVM 连接到滤波器板（请参阅图 3-3 中的插座 J2）。
在 J1 的 VDD 和 GND 端子之间施加 8V 至 16V（标称 12V，纹波电压峰峰值小于 20mV）的 VDD 辅助电源电压。
测量 TPSF12C1 的 INJ 引脚（引脚 13）相对于 GND 的电压；此电压是 V_VDD/2 的直流电压，并且没有指示不稳定的交流扰动。VDD 电流消耗必须约为 12mA。如果 INJ 引脚电压振荡，请修改 EVM 上的阻尼网络元件以实现稳定性。
用户必须在连接到高压功率级之前执行低压测试。要提供 CM 激励，请从函数发生器连接 5V 峰峰值方波源，如图 3-4 所示。将信号频率设置为功率级的开关频率，并选择可产生所有频谱谐波的占空比（除此之外：50% 的占空比可消除偶次谐波，33.3% 的占空比可消除三次谐波，依此类推）。与信号源串联的 1nF 电容器将模拟实际的 CM 噪声源阻抗。
- 使用该 CM 激励源，验证 TPSF12C1 INJ 引脚的动态电压范围。确保 INJ 引脚在相对于 GND 的 2.5V 至 V_VDD – 2V 电压窗口中运行。
在每条输入电源线上连接一个 LISN，并在禁用 AEF 的情况下测量 EMI（EN 连接至 GND），以对现有的无源滤波器进行基准测试。禁用 AEF 后，通过将 J1 的 INJ 端子连接到 GND，将注入电容器的低压（底部）端子短接至 GND。这将模拟等效无源滤波器设计中的 Y 电容器连接。
消除注入电容器上的下拉短路，并通过允许 EN 悬空至高电平来启用 AEF 电路。重复 EMI 测量，从而量化与 AEF 相关的 EMI 降低量。
以类似的方式，使用网络分析器对滤波器插入损耗 或衰减性能进行比较。要使用 50Ω 源阻抗和负载阻抗进行真正的插入损耗测量，请将 LISN 替换为从 L 或 N 连接到 GND 的 50Ω 负载。
使用高压安全防护措施，连接开关功率级，如图 3-3 所示。打开稳压器，与第 4 步类似，确认 IC 的 INJ 引脚电压没有被削波。要增大 INJ 电压的动态范围，请增大以下一项或多项：
- 稳压器侧 Y 电容 C_Y3 和 C_Y4
- 注入电容 C_INJ
- VDD 电源电压 V_VDD
在启用和禁用 AEF 的情况下测量 EMI，与第 5 步和第 6 步中所述的过程类似。
关断稳压器。等待所有高压电容器完全放电。