ZHCUBD6A September 2022 – October 2023
AM64x/AM243x 的内核电压可由 0.75V、0.8V 或 0.85V 电压源提供,具体取决于电源优化要求。当 SoC 内核电压 (VDD_CORE)、SoC 阵列内核电压 (VDDR_CORE) 以及其他阵列内核电压(VDDA_0P85_SERDES0_C、VDDA_0P85_SERDES0、VDDA_0P85_USB0、VDD_DLL_MMC0、VDD_MMC0)为 0.85V 时,TI 建议使用单电压源。如果要求 SoC 内核电压为 0.75V 或 0.8V,并且要求 SoC 阵列内核电压以及其他阵列内核电压为 0.85V,则需要分别采用单独的电压源来提供 SoC 内核电压和 SoC 阵列内核电压。
此 EVM 可以进行配置以为 SoC 内核电压、SOC 阵列内核电压和其他阵列内核电压提供单个电压源或不同的电压源,具体取决于相应要求。这可以通过放置电阻器来配置,如图 3-8 中所述。
SoC 具有多个不同的 IO 组。每个 IO 组由特定电源供电,如表 3-6 所示。
SI 编号 | 电源 | SoC 电源轨 | IO 电源组 | 电源 |
---|---|---|---|---|
1 | VDDA_CORE | VDDA_0P85_SERDES0 | SERDES0 | 0.85 |
VDDA_0P85_SERDES0_C | 0.85 | |||
VDDA_0P85_USB0 | USB0 | 0.85 | ||
VDD_MMC0 | MMC0 | 0.85 | ||
2 | SoC_DVDD3V3 | VDDS_MCU | MCU | 3.3 |
VDDA_3P3_USB0 | USB0 | 3.3 | ||
VDDSHV0 | 通用 | 3.3 | ||
VDDSHV1 | PRG0 | 3.3 | ||
VDDSHV2 | PRG1 | 3.3 | ||
VDDSHV3 | GPMC | 3.3 | ||
3 | VDDA_1V8_MCU | VDDA_MCU | MCU | 1.8 |
4 | VDDA_MCU_ADC | VDDA_ADC | ADC0 | 1.8 |
5 | VDDA_1V8_SERDES | VDDA_1P8_SERDES0 | SERDES0 | 1.8 |
6 | VDDA_1V8_USB0 | VDDA_1P8_USB0 | USB0 | 1.8 |
7 | VDDA_1V8 | VDDS_OSC | OSC0 | 1.8 |
VDDA_TEMP_0/1 | 1.8 | |||
VDDA_PLL_0/1/2 | 1.8 | |||
8 | VDD_DDR4 | VDDS_DDR | DDR0 | 1.2 |
VDDS_DDR_C | 1.2 | |||
9 | SOC_DVDD1V8 | VDDSHV4 | 闪存 | 1.8 |
VDDS_MMC0 | MMC0 | 1.8 | ||
10 | VDDSHV_SD_IO | VDDSHV5 | MMC1 | 1.8 |