ZHCUBD9A October   2023  – June 2024

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
    1. 1.1 主要系统规格
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
    3. 2.3 重点米6体育平台手机版_好二三四
      1. 2.3.1 TIOL112
      2. 2.3.2 MSPM0L1306
  9. 3硬件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件要求
    2. 3.2 测试设置
    3. 3.3 测试结果
      1. 3.3.1 TCD_PHYL_INTF_TRENHIGH 和 TCD_PHYL_INTF_TRENLOW
      2. 3.3.2 TCD_PHYL_INTF_UARTTRANSDELAY
      3. 3.3.3 TCD_PHYL_INTF_RESPONSETIME
      4. 3.3.4 TCD_PHYL_INTF_ISIRD
  10. 4设计和文档支持
    1. 4.1 设计文件
      1. 4.1.1 原理图
      2. 4.1.2 BOM
    2. 4.2 工具与软件
    3. 4.3 文档支持
    4. 4.4 支持资源
    5. 4.5 商标
  11. 5作者简介
  12. 6修订历史记录

3.3 测试结果

表 3-3 显示了基于 IO-Link 测试规范的物理层测试，以及此参考设计的结果。

表 3-3 物理层测试
ID 名称 配置 规范（条款） 结果
SDCI_TC_0011 TCD_PHYL_INTF_ISD 测量器件 L+ 上的静态电源电流 请参阅 5.3.2.3 表 6 ISDIOLmax (VSD = 18V)：12.3mA ISDIOLmax (VSD = 30V)：13.6mA
SDCI_TC_0012 TCD_PHYL_INTF_ISIRD 在上电时监测器件的电流和通信：在最小和最大电源条件下验证器件充电要求和上电行为。 请参阅 5.3.2.3 表 6 和 5.4.1 表 10 QISD (VSD = 18V)：< 3.5mA 启动次数 (VSD = 30V)：1 QISD (VSD = 18V)：< 3.5mA 启动次数 (VSD = 30V)：1
SDCI_TC_0013 TCD_PHYL_INTF_VRESHIGH 器件高侧驱动器的驱动能力。
在 50mA 负载条件下测量电源 L+ 和 C/Q(1) 输出之间的压降。		 请参阅 5.3.2.4 表 7 VCQ (VSD = 18V)：0.13V VCQ (VSD = 30V)：0.13V
SDCI_TC_0014 TCD_PHYL_INTF_VRESLOW 器件低侧驱动器的驱动能力。
在 50mA 灌电流条件下测量负电源 L– 和 C/Q 输出之间的压降。		 请参阅 5.3.2.4 表 7 VCQ (VSD = 18V)：0.13V VCQ (VSD = 30V)：0.13V
SDCI_TC_0015 TCD_PHYL_INTF_IQQD 在接收模式下测量进入 C/Q 的静态电流 请参阅 5.3.2.4 表 7 ICQ（VSD = 18V、VID = 13V）：< 1μA ICQ（VSD = 18V、VID = VSD）：< 1μA ICQ（VSD = 30V、VID = 13V）：< 1μA ICQ（VSD = 30V、VID = VSD）：< 1μA
SDCI_TC_0016 TCD_PHYL_INTF_VTHHD 在 C/Q 上测量高电平阈值电压 请参阅 5.3.2.2 表 5 0 → 1 转换时的 VID (VSD = 18V)：11.1V 0 → 1 转换时的 VID (VSD = 30V)：11.1V
SDCI_TC_0017 TCD_PHYL_INTF_VTHLD 在 C/Q 上测量低电平阈值电压 请参阅 5.3.2.2 表 5 1 → 0 转换时的 VID (VSD = 18V)：10.4V 1 → 0 转换时的 VID (VSD = 30V)：10.4V
SDCI_TC_0018 TCD_PHYL_INTF_VHYSD 根据 VTHHD 和 VTHLD 计算 C/Q 上的迟滞电压 请参阅 5.3.2.2 表 5 VHYSD (VSD = 18V)：0.7V VHYSD (VSD = 30V)：0.7V
SDCI_TC_0300 TCD_PHYL_INTF_VOLTRANGECQ 在信号电压超过电源电压后测试器件行为 请参阅 5.3.2.2 表 5，VIL 和 VIH 已建立通信
SDCI_TC_0027 TCD_PHYL_INTF_TRENHIGH 在成功接收到唤醒请求后，器件会释放高侧输出驱动器。在 C/Q 为高电平信号时测量器件的唤醒接收使能延迟。通过在 L+ 至 C/Q 和 C/Q 至 L 之间施加电阻分压器来测量延迟时间。 请参阅 5.3.3.3 表 10 C/Q = 高电平时的 tREN：
93µs
SDCI_TC_0028 TCD_PHYL_INTF_TRENLOW 成功接收到唤醒请求后，器件应释放低侧输出驱动器。在 C/Q 为低电平时测量器件的唤醒接收使能延迟。通过在 L+ 至 C/Q 和 C/Q 至 L 之间施加电阻分压器来测量延迟时间。 请参阅 5.3.3.3 表 10 C/Q = 低电平时的 tREN：
94µs
SDCI_TC_0304 TCD_PHYL_INTF_UARTTRANSDELAY 测量器件回复消息的两个连续 UART 帧之间的延迟时间。 请参阅 A.3.4 公式 (A.4) t2min：0 TBIT t2max： 0 TBIT
SDCI_TC_0305 TCD_PHYL_INTF_RESPONSETIME 测量主站消息到器件回复消息（最后一个 UART 帧结束到第一个 UART 帧开始）之间的延迟时间。 请参阅 A.3.5 公式 (A.5) tAmin：4.25 TBIT tAmax：4.25 TBIT
(1) C/Q = 通信 (C) 或开关 (Q) 信号 (SIO) 的连接
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