ZHCUBI3A November 2023 – April 2024 TMS320F2800152-Q1 , TMS320F2800153-Q1 , TMS320F2800154-Q1 , TMS320F2800155 , TMS320F2800155-Q1 , TMS320F2800156-Q1 , TMS320F2800157 , TMS320F2800157-Q1
设置使用用户提供的闪存数据进行 512 位(32 个 16 位字)编程的闪存状态机寄存器,并向有效闪存发出编程命令。
Fapi_StatusType
Fapi_issueDataOnly512ProgrammingCommand(
uint32 *pu32StartAddress,
uint16 *pu16DataBuffer,
uint16 u16DataBufferSizeInWords
)
pu32StartAddress [in] | 用于对提供的数据进行编程的 512 位对齐闪存地址 |
pu16DataBuffer [in] | 指向数据缓冲区地址的指针。数据缓冲区应为 512 位对齐。 |
u16DataBufferSizeInWords [in] | 数据缓冲区中 16 位字的数量。最大数据缓冲区大小(以字为单位)不应超过 32。 |
此函数只对闪存中指定地址的数据部分进行编程。它可以在用户提供的 512 位对齐闪存地址处对 512 位数据(第二个参数)进行编程。
当用户应用程序(嵌入/使用闪存 API)必须单独对 512 位数据和相应的 64 位 ECC 数据进行编程时,使用此函数。使用 Fapi_issueDataOnly512ProgrammingCommand () 函数对 512 位数据进行编程,然后使用 Fapi_issueEccOnly64ProgrammingCommand() 函数对 64 位 ECC 进行编程。通常,大多数编程实用程序不会单独计算 ECC,而是使用 Fapi_issueAutoEcc512ProgrammingCommand() 函数。但是,某些安全应用程序可能需要在其闪存映像中插入有意的 ECC 错误(使用 Fapi_AutoEccGeneration 模式时无法实现),从而在运行时检查单错校正和双错检测 (SECDED) 模块的运行状况。在这种情况下,ECC 是单独计算的(如果适用,使用 Fapi_calculateEcc() 函数)。应用程序可能希望根据需要在主阵列数据或 ECC 中插入错误。在这种情况下,在错误插入之后,可以使用 Fapi_issueDataOnly512ProgrammingCommand () API 和 Fapi_issueEccOnly64ProgrammingCommand() API 分别对 512 位数据和 64 位 ECC 进行编程。
有关该函数允许的编程范围,请参阅表 3-5。
闪存 API | 主阵列 | DCSM OTP | ECC | 链路指针 |
---|---|---|---|---|
Fapi_issueDataOnly512ProgrammingCommand() | 允许 | 不允许 | 不允许 | 不允许 |
将在下一个 C2000ware 版本中发布此功能的示例实现。