LMG3422R030 允许调节器件的驱动强度，以获得所需的压摆率，从而在优化开关损耗和噪声耦合时提供灵活性。通常，高压摆率可提供较低的开关损耗，但高压摆率也会产生较高的电压过冲、噪声耦合和 EMI 辐射。在此设计中，导通压摆率通过 200kΩ 电阻器（顶部 GaN-FET 为 R9，底部 GaN-FET 为 R19）配置为 30V/ns。为了抑制瞬态噪声，该设计中并联放置了一个 100pF 电容（顶部 GaN-FET 为 C8，底部 GaN-FET 为 C25）。导通压摆率可以通过分别更改顶部的 R9 和底部 LMG3422R030 的 R19 来调节，如 LMG3422R030（LMG342xR030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET）数据表中所述。本设计中配置的最大压摆率不超过 100V/ns，以便不超过隔离式调制器 AMC1306M05 和数字隔离器 ISO7741 的额定共模瞬态抗扰度 (CMTI) 典型值。