ZHCUBJ7 November   2023

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
    1. 1.1 主要系统规格
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 主要米6体育平台手机版_好二三四
      1. 2.2.1 LMG3422R030
      2. 2.2.2 ISO7741
      3. 2.2.3 AMC1306M05
      4. 2.2.4 AMC1035
      5. 2.2.5 TPSM560R6H
      6. 2.2.6 TPSM82903
  9. 3系统设计原理
    1. 3.1 电源开关
      1. 3.1.1 GaN-FET 选择标准
      2. 3.1.2 HVBUS 去耦和 12V 自举电源
      3. 3.1.3 GaN_FET 导通压摆率配置
      4. 3.1.4 PWM 输入滤波器和死区时间计算
      5. 3.1.5 信号电平转换
      6. 3.1.6 LMG3422R030 故障报告
      7. 3.1.7 LMG3422R030 温度监控
    2. 3.2 相电流检测
      1. 3.2.1 分流器
      2. 3.2.2 AMC1306M05 模拟输入滤波器
      3. 3.2.3 AMC1306M05 数字接口
      4. 3.2.4 AMC1306M05 电源
    3. 3.3 DC-Link (HV_BUS) 电压检测
    4. 3.4 相电压检测
    5. 3.5 控制电源
    6. 3.6 MCU 接口
  10. 4硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 4.1 硬件要求
      1. 4.1.1 PCB
      2. 4.1.2 MCU 接口
    2. 4.2 软件要求
    3. 4.3 测试设置
      1. 4.3.1 注意事项
      2. 4.3.2 测试程序
    4. 4.4 测试结果
      1. 4.4.1 24V 输入控制电源
      2. 4.4.2 相电压开关节点的传播延迟 PWM
      3. 4.4.3 320VDC 总线电压时的开关节点瞬态
      4. 4.4.4 320VDC 和 16kHz PWM 时的相电压线性度和失真
      5. 4.4.5 逆变器效率和热特性
        1. 4.4.5.1 效率测量
        2. 4.4.5.2 在无散热器的情况下,320VDC 和 16kHz PWM 时的散热分析和 SOA
  11. 5设计和文档支持
    1. 5.1 设计文件
      1. 5.1.1 原理图
      2. 5.1.2 BOM
      3. 5.1.3 PCB 布局建议
        1. 5.1.3.1 布局图
      4. 5.1.4 Altium 工程
      5. 5.1.5 Gerber 文件
      6. 5.1.6 装配图
    2. 5.2 工具与软件
    3. 5.3 文档支持
    4. 5.4 支持资源
    5. 5.5 商标
  12. 6作者简介

LMG3422R030

LMG342xR030 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能,可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。以下主要特性有助于在电机集成式驱动器应用中显著提升电源效率并提高系统稳健性:

  • 与 IGBT 相比,具有集成栅极驱动器、快速开关和零反向恢复电荷的 600V 30mΩ GaN FET 可显著降低功率损耗
  • 20V/ns 至 150V/ns 的可配置压摆率,用于优化开关性能和缓解 EMI
  • 高级电源管理功能和强大的保护,例如响应时间不到 100ns 的逐周期过流和锁存短路保护、针对内部过热的自我保护以及 UVLO 监控和报告
  • 准确的实时数字温度 PWM 输出有助于管理 LMG3422R030 结温,以优化安全工作区 (SOA)
  • 为数字隔离器或电流传感器供电的集成式 5V 低压降 (LDO) 有助于减小 BOM 和占用空间
  • 符合面向硬开关拓扑的 JEDEC JEP180 标准
  • 工作结温绝对最大额定值:-40°C 至 150°C
GUID-E3707422-205A-4835-9AE6-B802D49B0D8A-low.jpg图 2-2 LMG3422R030 方框图