LMG342xR030 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能,可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。以下主要特性有助于在电机集成式驱动器应用中显著提升电源效率并提高系统稳健性:
- 与 IGBT 相比,具有集成栅极驱动器、快速开关和零反向恢复电荷的 600V 30mΩ GaN FET 可显著降低功率损耗
- 20V/ns 至 150V/ns 的可配置压摆率,用于优化开关性能和缓解 EMI
- 高级电源管理功能和强大的保护,例如响应时间不到 100ns 的逐周期过流和锁存短路保护、针对内部过热的自我保护以及 UVLO 监控和报告
- 准确的实时数字温度 PWM 输出有助于管理 LMG3422R030 结温,以优化安全工作区 (SOA)
- 为数字隔离器或电流传感器供电的集成式 5V 低压降 (LDO) 有助于减小 BOM 和占用空间
- 符合面向硬开关拓扑的 JEDEC JEP180 标准
- 工作结温绝对最大额定值:-40°C 至 150°C