ZHCUBJ7 November 2023
热侧受控型三相功率级利用六个 LMG3422R030 600V 30mΩ GaN FET,这些 FET 具有集成栅极驱动器、快速开关和零反向恢复电荷特性,与用于 320VDC 输入电机集成式驱动器的 IGBT 相比,可显著降低功率损耗。