GaN-FET 的开关速度快于 IGBT，并且 dV/dt 压摆率可以达到 30V/ns 甚至更高，如该设计中所配置。因此，具有 100V/ns（典型值）高共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的数字隔离器与 ISO7741F 四通道数字隔离器类似。如果输入功率或信号丢失，ISO7741F 的后缀 F 有助于将器件的输出驱动为低电平。ISO7741F 具有一个正向通道和三个反向通道，其中正向通道用于 PWM 信号，而反向通道用于相应顶部 GaN-FET 的三个故障和温度报告信号。该器件将 3.3V I/O 信号电平转换为 5V I/O 信号，以提供给对应的顶部 GaN-FET（指浮动开关节点 GND (SW)），如图 3-3 所示。

该设计有两个选项来通过 VCC1 为顶部数字隔离器 U4 (ISO7741F) 提供 5V 电源，如图 3-3 所示。使用外部 5V LDO (U13) 时（此设计的默认配置），电阻器 R60 和电容器 C64 需要保持空白，而 R59 需要组装。如果通过 LMG3422R030 的内部 5V LDO 在 LDO5V 引脚上提供 5V 电压，则 R59 需要保持空白，而 R60 和 C64 需要组装。

图 3-3 顶部 GaN-FET 基于数字隔离器的电平转换器原理图

ISO7730F 三通道数字隔离器与 ISO7741F 属于同一系列，可在底部和顶部 PWM 信号之间提供严格的传播匹配，同时使用 LMG4322R030 底部 GaN-FET 将来自 MCU 的 3.3V CMOS 信号转换为 5V CMOS 信号，如图 3-4 所示。

图 3-4 底部 GaN-FET 基于数字隔离器的电平转换器原理图