当标称最大输出电流为 7.7A_RMS 时，在无散热器的情况下，1mΩ 分流器的功率损耗为 60mW，而在该设计安装了散热器的情况下，则能够在 1.6W 损耗下处理 40A_RMS（瞬态）。分流器 R16 的封装和额定功率选为 3W，用户还可以选择替换为电阻更高的分流器（例如 5mΩ），以评估具有 ±250mV 线性输入电压范围的 AMC1306M25，并在更高负载电流且为底部冷却 GaN-FET 使用散热器的情况下测试该系统。

在布局布线方面，在分流器与差分输入滤波器 R26、R29、C40 之间使用开尔文连接，并以差分方式路由信号 AIN_N 和 AIN_P。将 AMC1306 AGND 连接到分流器端子，该端子连接到 GaN-FET 的顶部源极 (SW)。为了简化此设计中的布线，AIN_N 与开关节点 (SW) 具有相同的电位，并且相电流测量电机的反相电流。