为了尽可能减少开关损耗，必须尽可能缩短开关节点的上升和下降时间。为了防止电场和磁场辐射以及高频谐振问题，采用合适的元件布局来尽可能简化高频电流路径环路非常重要。请仔细按照以下特定顺序来实现正确的布局。

1. 将输入电容器尽可能靠近 PMID 引脚和 GND 引脚连接放置，并使用尽可能短的覆铜线迹连接或 GND 层。
2. 将电感器输入引脚放置在尽可能靠近 SW 引脚的位置。最大限度地减小此迹线的覆铜面积，以减少电场和磁场辐射，但应确保该迹线足够宽，能够承载充电电流。不要为此连接并联使用多个层。最大限度地降低从此部分到任何其他迹线或层的寄生电容。
3. 将输出电容器靠近电感器和器件放置。需要通过短铜引线连接或 GND 平面将接地接头连接至 IC 接地端。
4. 将去耦电容器靠近 IC 引脚放置，并尽量缩短引线连接。
5. 确保过孔的数量和尺寸允许给定电流路径有足够的铜。

如需了解建议的元件放置方式以及引线和通孔位置，请参阅 EVM 设计。