ZHCUBL4A December   2023  – August 2024

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
    1. 1.1 主要系统规格
    2. 1.2 具有升压转换器的 PV 输入
    3. 1.3 双向直流/直流转换器
    4. 1.4 直流/交流转换器
  8. 2系统设计原理
    1. 2.1 升压转换器
      1. 2.1.1 电感器设计
      2. 2.1.2 整流器二极管选型
      3. 2.1.3 MPPT 运行
    2. 2.2 双向直流/直流转换器
      1. 2.2.1 电感器设计
      2. 2.2.2 低压侧电容器
      3. 2.2.3 高压侧电容器
    3. 2.3 直流/交流转换器
      1. 2.3.1 升压电感器设计
      2. 2.3.2 直流链路电容器
  9. 3系统概述
    1. 3.1 方框图
    2. 3.2 设计注意事项
      1. 3.2.1 升压转换器
        1. 3.2.1.1 高频 FET
        2. 3.2.1.2 输入电压和电流检测
      2. 3.2.2 双向直流/直流转换器
        1. 3.2.2.1 高频 FET
        2. 3.2.2.2 电流和电压测量
        3. 3.2.2.3 输入继电器
      3. 3.2.3 直流/交流转换器
        1. 3.2.3.1 高频 FET
        2. 3.2.3.2 电流测量
        3. 3.2.3.3 电压测量
        4. 3.2.3.4 辅助电源
        5. 3.2.3.5 无源器件选择
    3. 3.3 主要米6体育平台手机版_好二三四
      1. 3.3.1  TMDSCNCD280039C - TMS320F280039C 评估模块 C2000™ MCU controlCARD™
      2. 3.3.2  LMG3522R030 具有集成式驱动器、保护和温度报告功能的 650V 30mΩ GaN FET
      3. 3.3.3  TMCS1123 - 精密霍尔效应电流传感器
      4. 3.3.4  AMC1302 - 具有 ±50mV 输入电压的增强型隔离式精密放大器
      5. 3.3.5  ISO7741 EMC 性能优异的四通道、3 个正向、1 个反向增强型数字隔离器
      6. 3.3.6  ISO7762 EMC 性能优异的六通道、4 个正向、2 个反向增强型数字隔离器
      7. 3.3.7  UCC14131-Q1 汽车类、1.5W、12V 至 15V VIN、12V 至 15V VOUT、高密度、> 5kVRMS 隔离式直流/直流模块
      8. 3.3.8  ISOW1044 具有集成直流/直流电源的低辐射、5kVRMS 隔离式 CAN FD 收发器
      9. 3.3.9  ISOW1412 具有集成电源的低辐射、500kbps、增强型隔离式 RS-485、RS-422 收发器
      10. 3.3.10 OPA4388 四通道、10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器
      11. 3.3.11 OPA2388 双通道、10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器
      12. 3.3.12 INA181 26V 双向 350kHz 电流检测放大器
  10. 4硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 4.1 硬件要求
    2. 4.2 注释
    3. 4.3 测试设置
      1. 4.3.1 升压级
      2. 4.3.2 双向直流/直流级 - 降压模式
      3. 4.3.3 直流/交流级
    4. 4.4 测试结果
      1. 4.4.1 升压转换器
      2. 4.4.2 双向直流/直流转换器
        1. 4.4.2.1 降压模式
        2. 4.4.2.2 升压模式
      3. 4.4.3 直流/交流转换器
  11. 5设计和文档支持
    1. 5.1 设计文件
      1. 5.1.1 原理图
      2. 5.1.2 BOM
    2. 5.2 工具与软件
    3. 5.3 文档支持
    4. 5.4 支持资源
    5. 5.5 商标
  12. 6关于作者
  13. 7修订历史记录

直流/交流转换器

图 4-12 中,4.4kW 输出功率通过 400V 直流链路提供至 230VAC。线路电压和线路电流分别以黄色和粉色显示。请注意,电阻器中没有注入明显的电流纹波。该图还以绿色显示了 100Hz 频率下存在的直流链路电源纹波。

C1 - 输出电压,C2 - 输出电流,C4 - 直流总线电压

TIDA-010938 直流/交流线路电压、线路电流和直流总线电压图 4-12 直流/交流线路电压、线路电流和直流总线电压

图 4-13表 4-4 展示了从直流总线转换为 230VAC 输出时的总体效率。下面讨论了所有三种调制方案(即单极 H 桥、双极 H 桥和 HERIC 模式 H 桥)的比较结果。

该表显示,H 桥单极模式下的参考设计在大约 2.4kW 和 400V 输入、ηfull-load 为 98.2% 且 ηCEC = 98.3% 时可实现 ηpeak = 98.4%。

该表显示,H 桥双极模式下的参考设计在大约 2.8kW 和 400V 输入、ηfull-load 为 97.9% 且 ηCEC = 97.8% 时可实现 ηpeak = 98.1%。

该表显示,HERIC 模式下的参考设计在大约 2.4kW 和 400V 输入、ηfull-load 为 98.2% 且 ηCEC = 98.4% 时可实现 ηpeak = 98.5%。

TIDA-010938 直流/交流效率比较图 4-13 直流/交流效率比较
表 4-4 直流/交流效率
输出功率效率

(H 桥单极)

输出功率效率

(H 桥双极)

输出功率效率

(HERIC)

0.2kW93.1%0.2kW92.7%0.1kW92.7%
0.4kW96.0%0.4kW95.9%0.4kW97.1%
0.8kW97.5%0.8kW97.2%0.8kW98.1%
1.2kW98.3%1.2kW97.7%1.2kW98.3%
1.6kW98.2%1.6kW97.9%1.2kW98.4%
2.0kW98.3%2.0kW98.0%1.6kW98.5%
2.4kW98.4%2.4kW98.0%2.0kW98.5%
2.8kW98.4%2.8kW98.1%2.4kW98.5%
3.2kW98.4%3.2kW98.0%2.8kW98.5%
3.5kW98.4%3.5kW97.9%3.2kW98.5%
3.9kW98.3%3.9kW97.9%3.4kW98.5%
4.1kW98.3%4.1kW97.9%3.6kW98.4%
4.3kW98.2%4.3kW97.9%4.0kW98.4%
4.5kW98.2%4.5kW97.8%4.2kW98.4%
4.3kW98.3%
4.5kW98.2%

此外,采用单极调制方案时 H 桥开关节点电压的测量方式如图 4-14 所示。从图中可以看出,即使开关速度达到 60kV/μs,也没有检测到明显的过电压。可以观察到上升时间约为 6ns。

C1 - 线路电压,C2 - 线路电流,C3 - 直流总线电压,C4 - 开关节点电压

TIDA-010938 H 桥单极下的直流/交流开关节点图 4-14 H 桥单极下的直流/交流开关节点

采用双极调制方案时 H 桥开关节点电压的测量方式如图 4-15 所示。从图中可以看出,即使开关速度达到 60kV/μs,也没有检测到明显的过电压。可以观察到上升时间约为 6.5ns。

C1 - 线路电压,C2 - 线路电流,C3 - 直流总线电压,C4 - 开关节点电压

TIDA-010938 H 桥双极下的直流/交流开关节点图 4-15 H 桥双极下的直流/交流开关节点

图 4-16 所示测量了 HERIC 调制方案开关节点的电压。从拓扑角度来看,在 HERIC 模式下,由于正半个周期和负半个周期中存在额外的零电压状态,FET 两端的电压也会减半。我们可以看到开关节点电压从 200V 上升到 400V。在这种情况下,另一个开关节点的电压范围为 0V 至 200V。

C1 - 线路电压,C2 - 线路电流,C3 - 开关节点电压,C4 - 直流总线电压

TIDA-010938 HERIC 下的直流/交流开关节点图 4-16 HERIC 下的直流/交流开关节点

相应调制方案的总谐波失真 (THD) 曲线也可在图 4-17 中看到。

TIDA-010938 直流/交流的总谐波失真图 4-17 直流/交流的总谐波失真

此外,单极拓扑的 GaN FET 结温如图 4-18 所示。其他 H 桥 GaN 具有相似的温度曲线。这种运行对应于将 400V 直流链路电压转换为 230V 电网。可以看到,温度没有超过 54°C。

TIDA-010938 H 桥单极下的 GaN v/s 散热器温度图 4-18 H 桥单极下的 GaN v/s 散热器温度

双极拓扑的 GaN FET 结温如图 4-19 所示。其他 H 桥 GaN 具有相似的温度曲线。这种运行对应于将 400V 直流链路电压转换为 230V 电网。可以看到,温度没有超过 70°C。

TIDA-010938 H 桥双极的 GaN v/s 散热器温度图 4-19 H 桥双极的 GaN v/s 散热器温度

HERIC 拓扑的 GaN FET 结温如图 4-20 所示。其他 H 桥 GaN 具有相似的温度曲线。这种运行对应于将 400V 直流链路电压转换为 230V 电网。温度不会高于 54°C。

TIDA-010938 HERIC 的 GaN v/s 散热器温度图 4-20 HERIC 的 GaN v/s 散热器温度

总之,采用双极调制的 H 桥和 HERIC 都是三级拓扑,因此可以降低 FET 两端的开关损耗;相比之下,采用双极调制方案的 H 桥是一种两级拓扑。HERIC 和双极调制中的 H 桥具有更好的共模抑制功能。单极会提供高共模电压,对于串式逆变器等无变压器系统,这可能会导致高漏电流。但是,对于类似的 EMI 滤波器设计,单极以一半的开关频率运行,并在输出端实现双倍频率。因此,在比较这三种拓扑时,需要考虑多个要点。