ZHCUBL4A December 2023 – August 2024
在图 4-12 中,4.4kW 输出功率通过 400V 直流链路提供至 230VAC。线路电压和线路电流分别以黄色和粉色显示。请注意,电阻器中没有注入明显的电流纹波。该图还以绿色显示了 100Hz 频率下存在的直流链路电源纹波。
C1 - 输出电压,C2 - 输出电流,C4 - 直流总线电压
图 4-13 和表 4-4 展示了从直流总线转换为 230VAC 输出时的总体效率。下面讨论了所有三种调制方案(即单极 H 桥、双极 H 桥和 HERIC 模式 H 桥)的比较结果。
该表显示,H 桥单极模式下的参考设计在大约 2.4kW 和 400V 输入、ηfull-load 为 98.2% 且 ηCEC = 98.3% 时可实现 ηpeak = 98.4%。
该表显示,H 桥双极模式下的参考设计在大约 2.8kW 和 400V 输入、ηfull-load 为 97.9% 且 ηCEC = 97.8% 时可实现 ηpeak = 98.1%。
该表显示,HERIC 模式下的参考设计在大约 2.4kW 和 400V 输入、ηfull-load 为 98.2% 且 ηCEC = 98.4% 时可实现 ηpeak = 98.5%。
输出功率 | 效率 (H 桥单极) | 输出功率 | 效率 (H 桥双极) | 输出功率 | 效率 (HERIC) |
---|---|---|---|---|---|
0.2kW | 93.1% | 0.2kW | 92.7% | 0.1kW | 92.7% |
0.4kW | 96.0% | 0.4kW | 95.9% | 0.4kW | 97.1% |
0.8kW | 97.5% | 0.8kW | 97.2% | 0.8kW | 98.1% |
1.2kW | 98.3% | 1.2kW | 97.7% | 1.2kW | 98.3% |
1.6kW | 98.2% | 1.6kW | 97.9% | 1.2kW | 98.4% |
2.0kW | 98.3% | 2.0kW | 98.0% | 1.6kW | 98.5% |
2.4kW | 98.4% | 2.4kW | 98.0% | 2.0kW | 98.5% |
2.8kW | 98.4% | 2.8kW | 98.1% | 2.4kW | 98.5% |
3.2kW | 98.4% | 3.2kW | 98.0% | 2.8kW | 98.5% |
3.5kW | 98.4% | 3.5kW | 97.9% | 3.2kW | 98.5% |
3.9kW | 98.3% | 3.9kW | 97.9% | 3.4kW | 98.5% |
4.1kW | 98.3% | 4.1kW | 97.9% | 3.6kW | 98.4% |
4.3kW | 98.2% | 4.3kW | 97.9% | 4.0kW | 98.4% |
4.5kW | 98.2% | 4.5kW | 97.8% | 4.2kW | 98.4% |
4.3kW | 98.3% | ||||
4.5kW | 98.2% |
此外,采用单极调制方案时 H 桥开关节点电压的测量方式如图 4-14 所示。从图中可以看出,即使开关速度达到 60kV/μs,也没有检测到明显的过电压。可以观察到上升时间约为 6ns。
C1 - 线路电压,C2 - 线路电流,C3 - 直流总线电压,C4 - 开关节点电压
采用双极调制方案时 H 桥开关节点电压的测量方式如图 4-15 所示。从图中可以看出,即使开关速度达到 60kV/μs,也没有检测到明显的过电压。可以观察到上升时间约为 6.5ns。
C1 - 线路电压,C2 - 线路电流,C3 - 直流总线电压,C4 - 开关节点电压
按图 4-16 所示测量了 HERIC 调制方案开关节点的电压。从拓扑角度来看,在 HERIC 模式下,由于正半个周期和负半个周期中存在额外的零电压状态,FET 两端的电压也会减半。我们可以看到开关节点电压从 200V 上升到 400V。在这种情况下,另一个开关节点的电压范围为 0V 至 200V。
C1 - 线路电压,C2 - 线路电流,C3 - 开关节点电压,C4 - 直流总线电压
相应调制方案的总谐波失真 (THD) 曲线也可在图 4-17 中看到。
此外,单极拓扑的 GaN FET 结温如图 4-18 所示。其他 H 桥 GaN 具有相似的温度曲线。这种运行对应于将 400V 直流链路电压转换为 230V 电网。可以看到,温度没有超过 54°C。
双极拓扑的 GaN FET 结温如图 4-19 所示。其他 H 桥 GaN 具有相似的温度曲线。这种运行对应于将 400V 直流链路电压转换为 230V 电网。可以看到,温度没有超过 70°C。
HERIC 拓扑的 GaN FET 结温如图 4-20 所示。其他 H 桥 GaN 具有相似的温度曲线。这种运行对应于将 400V 直流链路电压转换为 230V 电网。温度不会高于 54°C。
总之,采用双极调制的 H 桥和 HERIC 都是三级拓扑,因此可以降低 FET 两端的开关损耗;相比之下,采用双极调制方案的 H 桥是一种两级拓扑。HERIC 和双极调制中的 H 桥具有更好的共模抑制功能。单极会提供高共模电压,对于串式逆变器等无变压器系统,这可能会导致高漏电流。但是,对于类似的 EMI 滤波器设计,单极以一半的开关频率运行,并在输出端实现双倍频率。因此,在比较这三种拓扑时,需要考虑多个要点。