ZHCUBL6 December 2023 CC3300 , CC3301 , CC3301MOD , CC3351
下面的图 3-8 显示了参考设计中的射频部分。为了达到峰值性能,设计布局的这个区域时必须特别小心。不良布局会导致输出功率、EVM、灵敏度和频谱屏蔽的性能下降。
图 3-8 是从 CC330x 参考设计文件中提取的样图。
除了尽可能遵循参考设计,还请遵守下面所列的指导原则。
影响射频性能地另一个有效因素是堆叠。例如,表 3-1 包含 BP-CC3301 设计中使用的堆叠(从上到下)。
层 | 名称 | 厚度 | εr |
---|---|---|---|
顶部阻焊层 | |||
顶部焊接 | 1.00mil | 3.5 | |
1 | 顶层 | 1.85mil | |
电介质 1 | 5.48mil | 4.2 | |
2 | L02_GND | 1.26mil | |
电介质 2 | 42.82mil | 4.2 | |
3 | L03_PWR | 1.26mil | |
电介质 3 | 5.48mil | 4.2 | |
4 | 底层 | 1.85mil | |
底部阻焊层 | 1.00mil | 3.5 | |
底部阻焊层 |
来自器件的射频信号使用共面波导 (CPW-G) 结构路由到天线。此结构为滤波器间隙实现更大程度的隔离,为射频线路提供更好的屏蔽。为了实现 50 欧姆的阻抗,必须考虑堆叠和布线测量。图 3-9 和图 3-10 以 BP-CC3301 EVM 为例展示了计算布线阻抗的示例。
此图像来自 BP-CC3301 设计文件。