LMG2100R044 器件是一款 80V 连续 100V 脉冲式 35A 半桥功率级，具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。该器件包含两个 100V GaN FET，这两者由采用半桥配置的同一高频 80V GaN FET 驱动器进行驱动。因为 GaN FET 的反向恢复接近零，而且输入电容 C_ISS 和输出电容 C_OSS 都极小，所以 GaN FET 在功率转换方面优势极为显著。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG2100R044 器件采用 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。该器件的输入与 TTL 逻辑兼容，无论 V_CC 电压如何，都能够承受高达 12V 的输入电压。专有的自举电压钳位技术，可使增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用，该器件是理想之选。