ZHCUBL8A December 2023 – June 2024
为直流/交流级确定了两种 GaN FET 设计:
这两款器件都采用顶部冷却,因此与底部冷却器件相比,可实现更高的功率耗散性能。通过 PLEC 仿真,确定 50mΩ 器件适合 230VAC 电网。由于与 LMG3522R030 相比,LMG3522R050 具有更低的输出寄生电容,因此效率更高。对于 120VAC 电网型号,LMG3522R030 是更好的选择。